电子部件、半导体封装件和电子器件制造技术

在常规UBM例如Cu、Ni或NiP中，存在的这样问题：在长时间将电子部件保持在高温条件下时导致UBM的阻挡特性被破坏，并且由于在结合界面形成脆性的合金层，导致结合强度降低。焊料连接部分在高温下储存之后长期连接可靠性降低的问题得到了解决。电子部件上提供有：安置在基板或半导体元件上的电极片；和为覆盖所述电极片而安置的阻挡金属层。所述阻挡金属层在与所述电极片接触侧相反的一侧上包含CuNi合金层，所述CuNi合金层含有15至60原子％的Cu和40至85原子％的Ni。

Electronic component, semiconductor package and electronic device

In the conventional UBM such as Cu, Ni or NiP, such problems: in the long time will keep electronic components under the condition of high temperature caused the barrier properties of UBM was destroyed, and the alloy layer is formed in the interface brittle, resulting in reduced bond strength. When the solder joint is stored at high temperatures, the problem of long term connection reliability degradation is addressed. An electronic component is provided with an electrode sheet disposed on a substrate or a semiconductor element; and a barrier metal layer for covering the electrode sheet. The barrier metal layer comprises a CuNi alloy layer on the opposite side of the contact side of the electrode sheet, wherein the CuNi alloy layer contains 15 to 60 atomic% Cu and 40 to 85 atomic% Ni.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包含在电极片(electrode pad)上的阻挡金属层的电子部件、半导体封装件和电子器件。
技术介绍
近年来与更高性能的电子器件相关的是，在半导体封装件中日益需要更高密度的装配。在用于提供这种高密度的半导体封装件的方法的一个实例中，在LSI芯片的表面的电极片上形成焊料凸起，并且使用倒装法连接，将LSI芯片与插入式(interposer)基板或母板如积层(build-up)基板和柔性基板连接，或者与另一个LSI芯片连接。通常，当在倒装法连接中使用由例如SnPb、SnAg, SnCu, SnAgCu, SnZn, SnZnBi和 SrHn制成的焊料凸起时，主要制成焊料凸起的Sn在回流和结合处理、修复过程中，或者当产品在高温下使用时，扩散到由LSI芯片的Al或Cu制成的电极片和布线中，从而在一些情况下导致电的问题。为了防止扩散，在电极片和焊料凸起之间使用在防止焊料扩散方面非常有效的 UBM(下凸起金属)(阻挡金属层)。作为具有阻挡能力的UBM的一个典型实例，通常使用通过电解镀敷形成的Ni或通过无电镀敷形成的NiP。这是因为与Sn相比，Ni不太可能扩散， 使得即使在高温本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种电子部件，所述电子部件包括：电极片，所述电极片形成在基板或半导体元件上；和阻挡金属层，所述阻挡金属层被形成用于覆盖所述电极片，其中所述阻挡金属层在与所述电极片相反的一侧上包含ＣｕＮｉＰ合金层，所述ＣｕＮｉＰ合金层含有４４至６０原子％的Ｃｕ、２９至４０原子％的Ｎｉ和８至１６原子％的Ｐ，同时Ｎｉ含量至少为Ｐ含量的２．５倍。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：曾川祯道，山崎隆雄，高桥信明，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP