A process kit for sputtering a chamber having a sputtering target including a backing plate and a sputtering plate. The back plate has a groove. The sputtering plate includes a cylindrical mesa with a flat surface and an annular bevel around the cylindrical mesa. In one scheme, the backplane contains material with high thermal conductivity and low resistivity. In another scheme, the back panel includes a back with a single recess or a plurality of grooves. A process kit for a sputtering chamber includes a deposition ring, a cover ring, and a guard plate assembly for placing in the vicinity of the substrate support in the sputtering chamber.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于溅射腔室的工艺套件组件。
技术介绍
在集成电路和显示器的制造中，诸如半导体晶片和显示面板的衬底放置在处理腔 室中并设定腔室中的工艺条件以在该衬底上沉积材料或者蚀刻该衬底。典型的腔室包括围 绕等离子区域的外围壁、用于支撑衬底的衬底支架、用于在腔室内提供处理气体的气源、对 气体施加能量以处理衬底的气体激发器，以及用于保持压力的排气装置。例如，该腔室可以 包括溅射(PVD)、化学气相沉积(CVD)和蚀刻腔室。在溅射腔室中，溅射靶材以促使所溅射 的靶材料沉积在与靶材相对的衬底上。在溅射工艺中，将包含惰性气体和/或反应气体的 处理气体供应到腔室内，并相对彼此对靶材和衬底施加电偏压，以形成轰击靶材促进溅射 材料从靶材击出并在衬底上沉积成膜的高能离子。在磁电管溅射腔室中，磁场发生器在靶 材附近定形磁场以改善靶材的溅射。在这些溅射工艺中，靶材的某些区域通常以比其它区域高的溅射速率溅射，导致 了靶材表面的不均勻溅射。例如，不均勻靶材溅射可以由用于限制或搅动靶材表面附近的 高能离子的成型磁场引起。成型磁场引起靶材特殊区域处的靶材料以较高的速率溅射出， 其可能导致...
【技术保护点】
一种设置在溅射腔室中衬底支架周围的沉积环，所述衬底支架包括具有平面的衬底承载表面和在所述衬底的悬伸边之前终止的外围侧壁，所述沉积环包括：（ａ）环形带，其具有围绕所述支架的所述外围壁的暴露表面，并且所述环形带包括：（ｉ）沿所述环形带横向延伸的内唇缘，所述内唇缘基本上平行于所述支架的外围壁并在所述支架的所述悬伸边下面终止；（ｉｉ）凸起的脊，其基本上平行于所述衬底支架的所述承载表面的所述平面；（ｉｉｉ）在所述内唇缘和所述凸起的脊之间的内开口沟道，所述内开口沟道至少部分在所述衬底的所述悬伸边的下面延伸；以及（ｉｖ）所述凸起的脊的径向向外的壁架。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：艾伦·亚历山大·里奇，唐尼·扬，扬·理查德·洪，凯瑟琳·A·沙伊贝尔，乌梅什·凯尔卡，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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