【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域,特别涉及一种靶材组件及其加工方法。
技术介绍
在半导体制程的制造工序中,往往需要形成各种膜层。溅射工艺是半导体制造领域一种广泛使用的成膜工艺。溅射工艺是物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)中的一种,具体地,利用带电粒子轰击靶材,加速的粒子轰击固体表面时,粒子与固体表面原子发生碰撞,产生能量和动量的转移,使靶材表面原子从靶材表面溢出并沉积在基底表面形成膜层。溅射工艺在进行过程中,会有反溅射物产生。由于靶材组件中起支撑作用的背板本身具有一定的附着力,所以反溅射物会附着在背板上,形成吸附颗粒物。但是随着工艺不断发展,某些溅射工艺在进行过程中产生的反溅射物比较多,会导致反溅射物无法顺利附着,从而发生吸附颗粒物剥落(Peeling)和尖端放电(Arcing)等问题,严重影响生产过程,导致产品报废。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是靶材组件侧面的吸附能力不足,而导致的吸附颗粒物剥落和尖端放电问题。为解决上述问题,本专利技术提供一种靶材组件的加工方法,包括:形成靶材组件,所述靶材组件包括背板以及与所述背板相连的靶 ...
【技术保护点】
一种靶材组件的加工方法,其特征在于,包括:形成靶材组件,所述靶材组件包括背板以及与所述背板相连的靶材,所述背板与所述靶材相连的一面为正面,所述靶材包括与带电粒子发生碰撞的溅射面和与所述溅射面通过倒角相连的侧面;靶材侧面与倒角的连接处和靶材侧面与背板正面连接处之间的区域构成靶材组件表面的吸附区域;对所述靶材组件表面的吸附区域进行喷砂处理。
【技术特征摘要】
1.一种靶材组件的加工方法,其特征在于,包括:形成靶材组件,所述靶材组件包括背板以及与所述背板相连的靶材,所述背板与所述靶材相连的一面为正面,所述靶材包括与带电粒子发生碰撞的溅射面和与所述溅射面通过倒角相连的侧面;靶材侧面与倒角的连接处和靶材侧面与背板正面连接处之间的区域构成靶材组件表面的吸附区域;对所述靶材组件表面的吸附区域进行喷砂处理。2.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述靶材侧壁上设置有突起,用于固定所述靶材,所述背板中设置有用于容纳所述靶材的凹槽,所述凹槽侧壁具有凹坑,所述凹坑与所述靶材侧壁上的突起相配合以固定所述靶材;所述吸附区域还包括位于靶材侧壁上的突起在所述背板正面的投影区域。3.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述背板包括铝合金背板。4.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述对所述靶材组件表面的吸附区域进行喷砂处理的步骤包括:所述喷砂处理中所使用沙粒包括白刚玉。5.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述对所述靶材组件表面的吸附区域进行喷砂处理的步骤包括:通过所述喷砂处理使所述吸附区域的粗糙度在5.08微米到7.62微米范围内。6.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述对所述靶材组件表面的吸附区域进行喷砂处理的步骤包括:所述喷砂处理中所使用的沙粒尺寸在315微米到400微米范围内。7.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于,在形成靶材组件的步骤之后,在对所述吸附区域进行喷砂处理的步骤之前,所述加工方法还包括:对所述靶材的溅射面进行保护处理。8.如权利要求7所述的加工方法,其特征在于,所述对所述溅射面进行保护处理的步骤包括:提供与所述溅射面尺寸相等的保护板;将所述保护板贴合在所述溅射面上。9.如权利要求8所述的加工方法,其特征在于,所述提供与所述溅射面尺寸相等的...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军,潘杰,相原俊夫,大岩一彦,王学泽,李小萍,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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