The invention aims to provide a method for preparing a high-purity molybdenum target for a thin-film solar cell, in order to improve the quality of the solar cell. Process: raw material preparation, calcination of ammonium molybdate, Mo3 in high purity hydrogen at 450-600 Deg. C once reduced to Mo2, again into high purity hydrogen at a temperature of 950-1050 two is reduced to Mo, mixing, sieving, pressing, after repeated charge discharge of high purity hydrogen after induction sintering furnace, sintering temperature 1950-2000, high power electron beam melting purification and 1400-1450 C 1350-1450 C 900-1000 hot rolling, forging, heat treatment and machining annealing temperature, ultrasonic cleaning, brazing, performance test and inspection target holder. The advantages of the invention are characterized by high pure molybdenum target with high purity, high density and good uniformity of thin film solar cells, which greatly improves the utilization rate of the sputtering target material, used in solar battery industry has very high value.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于能源利用
，特别是太阳能电池制造
技术介绍
薄膜太阳能电池是多层膜结构组件，比如，CIGS (铜铟镓硒)薄膜太阳能电池主要 由基底(通常是玻璃)、背电极层(通常是Mo)、吸收层(p-CIGS)、缓冲层(通常是n-CdS)、 透明导电层(通常是ZnO或Al掺杂ZnO双层结构)、上电极层(通常为Ni/Al)和减反射层 (通常是Mg^)组成。在这里，背电极层是一层极薄的钼膜(0.5-1.5μm厚)，它是采用溅 射薄膜的工艺通过钼靶溅射到基底上而形成。物理气相沉积(PVD)是镀膜技术中最为关键的技术工艺，而PVD用溅射金属靶材 是膜制备加工过程中最重要的原材料之一。溅射金属靶材的质量好坏对膜的质量性能起着 重要的作用。目前，薄膜太阳能电池用钼靶材主要为国外企业所垄断，中国虽然为钼靶材的 原材料生产大国，但由于技术等原因，一直制造不出高质量、高稳定性能的靶材。目前我国 高端产品所使用的靶材主要依赖进口。世界生产高端钼靶材的技术和市场为德国、日本、美 国等少数几个国家垄断。通常情况下，钼靶的纯度、密度及组织均勻性对溅射有着重要的影响，直接关系...
【技术保护点】
１．薄膜太阳能电池用高纯度钼靶制备方法，其特征是按照如下流程实施：原料钼酸铵→焙烧制备Ｍｏ３→通入高纯氢气在温度４５０－６００℃一次还原成Ｍｏ２→再次通入高纯氢气在温度为９５０－１０５０℃二次还原成Ｍｏ→混料→筛分→等静压成型→经过多次充放高纯氢气后中频感应炉烧结，烧结温度１９５０－２０００℃→大功率电子束熔炼提纯→１４００－１４５０℃锻造→１３５０－１４５０℃热轧→９００－１０００℃热处理退火→机械加工→超声波清洗→钎焊靶托→性能测试及检验。
【技术特征摘要】
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