薄膜太阳能电池用高纯钼靶及其制备方法技术

本发明专利技术目的是提供一种薄膜太阳能电池用高纯钼靶及其制备方法，以提高太阳能电池的质量。薄膜太阳能电池用高纯钼靶，其是采用纯度≥９９．９７％，密度大于１０．１８ｇ／ｃｍ３，尤其是杂质氧含量≤０．００４％的钼板制成。其是按照如下步骤实现：制备高纯度三氧化钼，首先采用高纯氢气在５５０－６００℃进行一次还原；然后在９５０－１０００℃二次还原；还原后依次通过混料、筛分、等静压成型；然后在１９５０－２０００℃下中频感应烧结；再在１４００－１４５０℃热锻；１３５０－１４００℃热轧；最后通过机械加到规定规格，检验即可。本发明专利技术优点是薄膜太阳能电池用高纯钼靶具有高纯度、高密度和良好的均匀性的特点，极大提高了溅射靶材的利用率，应用于太阳能电池行业具有很高的价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于能源利用
，特别是太阳能电池制造

技术介绍
薄膜太阳能电池是多层膜结构组件，比如，CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池主要 由基底(通常是玻璃)、背电极层(通常是Mo)、吸收层(p-CIGS)、缓冲层(通常是n-CdS)、 透明导电层(通常是ZnO或Al掺杂ZnO双层结构)、上电极层(通常为Ni/Al)和减反射层 (通常是MgF2)组成。在这里，背电极层是一层极薄的钼膜(0.5-1.5ym厚)，它是采用溅 射薄膜的工艺通过钼靶溅射到基底上而形成。 通常情况下，钼靶的纯度、密度及组织均匀性对溅射有着重要的影响，直接关系到 镀膜的质量及厚度均匀性，进而影响到电极性能。同时由于背电极层是一层极薄的钼膜，哪 怕薄膜中细微的夹杂物都可能对薄膜的质量造成影响，尤其非金属杂质物。这些对镀膜质 量的严格要求反映到溅射靶上，就要求溅射靶材的组织结构及化学纯度应符合相应工艺。 如何抑制溅射过程中微粒的产生是确保镀膜质量的重要因素。溅射镀膜的过程 中，所谓微粒是指溅射靶受到高能离子轰击时产生的大尺寸的靶材颗粒或微粒，或成膜之 后膜材受二次电子轰击出来形成的微粒。这些微粒的产本文档来自技高网...

【技术保护点】
薄膜太阳能电池用高纯钼靶，其特征是采用纯度≥９９．９７％，密度大于１０．１８ｇ／ｃｍ↑［３］，尤其是杂质氧含量≤０．００４％的钼板制成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉华，孟勇，张慧茹，韩伟东，
申请(专利权)人：韩伟东，
类型：发明
国别省市：61[中国|陕西]