The invention discloses a wafer thinning method to reduce warpage, the wafer is thinned before on the back side of the wafer along the X axis and Y axis orthogonal dicing, X axis and Y axis matrix width is 1um-100mm, the X axis is parallel to the substrate edge positioning. By this method in the process of thinning pre dicing, along the X axis and Y axis orthogonal to each other to draw scratches, stress can release the damage layer, damage layer expansion or retraction of the reserved space, the invention can effectively reduce wafer warpage, improve manufacturing yield, more conducive to the advantages of laser stripping and wafer binding.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体衬底加工技术，尤其是涉及。
技术介绍
现代半导体电子产品包括半导体光电子产品在内，随着对更小、更轻、更低的功耗地不断追求，通过减少晶片厚度来满足封装和提高散热的要求。然而，在减少芯片厚度时， 由于砂轮机械切削造成晶片表明的损伤层，破坏了正面与背面的拉张力平衡，形成翘曲的现象。机械切削是常规的背面减薄技术，一般分为两阶段即前段减薄和后段研磨两部分。由于研磨后圆片比较光滑，并且细磨砂轮金刚砂直径一般在20μπι以下，研磨时容易产生较高的热量，所以，细磨切削量都较小，一般小于40 μ m,减薄一般选用金刚砂颗粒直径大于40 μ m,形成的损伤层大约为20 μ m左右，粗糙度约为1. 5 μ m，细磨一般选用金刚砂颗粒直径小于10 μ m的砂轮，其损伤层大约为5 μ m左右，粗糙度约为0. 5 μ m.。减薄过程中， 损伤层的形成会产生一定的热量，随着温度的降低损伤层的将产生大于或小于正面的内应力，可以是表面张力或是内缩力(这取决于外延层的材质)，正面和背面的力平衡被打破后就造成圆片的翘曲，如图1，2所示，图中箭头为力的方向。翘曲的存在使圆片在交接...
【技术保护点】
１．一种减少晶片减薄后翘曲的方法，其特征在于晶片减薄前在晶片背面沿Ｘ轴和Ｙ轴进行正交划片，Ｘ轴与Ｙ轴矩阵宽度为１ｕｍ－１００ｍｍ，所述Ｘ轴平行于衬底定位边。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张昊翔，金豫浙，陈立人，李东昇，江忠永，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：86
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