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本发明公开的减少晶片减薄后翘曲的方法，是晶片减薄前在晶片背面沿X轴和Y轴进行正交划片，X轴与Y轴矩阵宽度为1um-100mm，所述X轴平行于衬底定位边。该方法通过在减薄前预划片的工艺，沿X轴和Y轴正交划出划痕，可以释放损伤层的相互应力，为损...
该专利属于杭州士兰明芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰明芯科技有限公司授权不得商用。

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