【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大致上关于用以处理基板的方法，并且特别是关于等离子体清洁 工艺期间的氧化物蚀刻的方法。
技术介绍
在半导体、显示器、太阳能电池与其他电子装置制造中，当基板表面暴露于空气中 的氧和水，典型地会形成自然氧化物。在大气或外界(ambient)条件下或在少量氧留置在 工艺腔室中时移动基板于多个工艺腔室之间时发生氧的暴露。自然氧化物也可以由蚀刻工 艺期间的污染造成。自然氧化物膜通常非常薄，例如介于5-20人之间，但厚到足以造成后续 制造过程中的困难。所以，通常不乐见自然氧化物层，且需要在后续的制造过程之前将其去 除。这样的困难通常会影响形成在基板上的电子器件的电学性质。例如，特定问题出 现在自然氧化硅膜形成于暴露的含硅层上时，尤其是在处理金属氧化物硅场效应晶体管 (“M0SFET”)结构期间。氧化硅膜是电绝缘的，并且不乐见在与接触电极或互连电路径之 间的界面，这是因为氧化硅膜会造成高的电接触电阻。在MOSFET结构中，电极与互连路径 包括硅化物层，其中该些硅化物层是通过沉积耐熔金属于裸硅上及将该层退火以产生金属 硅化物层来形成。位在基板与金属之间界面的自...
【技术保护点】
一种用于从基板表面去除自然氧化物的方法，包含以下步骤：将包含氧化物层的基板放置于工艺腔室内；调整该基板的第一温度到约８０℃或更小；在该工艺腔室内由气体混合物产生清洁等离子体，其中该气体混合物包含氨和三氟化氮且ＮＨ↓［３］／ＮＦ↓［３］摩尔比例为约１０或更高；在等离子体清洁工艺期间，使该清洁等离子体凝结到该基板上且形成薄膜，其中该薄膜包含部分由该氧化物层形成的六氟硅酸铵；及在该工艺腔室内加热该基板到约１００℃或更高的第二温度，同时从该基板去除该薄膜且在该基板上形成钝化表面。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨海春，吕新亮，高建德，张梅，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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