分布化学机械抛光方法技术

提供了一种分步化学机械抛光（ＣＭＰ）方法。该方法包括以下步骤：第一步，采用具有多晶硅去除速率大于或等于２００／ｍｉｎ的化学机械抛光液去除大部分的多晶硅但不暴露多晶硅表面；第二步，在该抛光液中加入氧化剂后，对多晶硅表面以及随后暴露出来的多晶硅与二氧化硅表面进行抛光。该方法可避免表面碟形凹损缺陷，使晶片平坦度增高，使工艺更稳定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞昌，杨春晓，荆建芬，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31