【技术实现步骤摘要】
烷基、铵盐基C1‑
C4烷基、芳基;
[0013]x1至x4分别选自0至4的整数;j1至j3、k1至k3分别为0或1;p1至p3、q1至q3分别选自0至10的整数;n为0或1或2;
[0014]其中所述结构式(2)为:
[0015][0016]优选的,所述复合硅烷化合物选自化合物1、化合物2中的一种或多种;
[0017]所述化合物1为:
[0018][0019]化合物2为:
[0020][0021]优选的,所述复合硅烷化合物具有结构式(3):
[0022][0023]其中,R
23
至R
26
、R
38
至R
41
分别选自H、F或Cl或Br、OH、C1‑
C6烷基、C3‑
C6环烷基、C1‑
C6烷氧基、C1‑
C6胺基烷基、C1‑
C6胺基烷氧基、C2‑
C6酰基、C2‑
C6酰氧基、羟基取代的C1‑
C6烷基、F或Cl或Br取代的C1‑
C6烷基、C2‑
C6烯基、C2‑
C6炔基、芳基、三甲基硅氧基、三乙基硅氧基、三甲氧基硅氧基、三乙氧基硅氧基、硼酸酯基、磷酸酯基、膦酸酯基、亚磷酸酯基或由结构式2表示的基团;
[0024]R
27
至R
33
、R
42
至R
47
分别选自羟基、C1‑
C6烷氧基、C1‑
C6胺基烷氧基或由结构式(4)或结构式(5 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种化学蚀刻组合物,其特征在于,包括:磷酸、复合硅烷化合物和去离子水。2.如权利要求1所述的化学蚀刻组合物,其特征在于,所述磷酸的质量百分比含量为68wt%
‑
94.9wt%。3.如权利要求1所述的化学蚀刻组合物,其特征在于,所述复合硅烷化合物的质量百分比含量为0.1wt%
‑
10wt%。4.如权利要求1所述的化学蚀刻组合物,其特征在于,所述去离子水的质量百分比含量为5%
‑
31.9wt%。5.如权利要求1所述的化学蚀刻组合物,其特征在于,所述复合硅烷化合物具有结构式(1):其中,R
1a
至R
14a
、R
1b
至R
14b
分别选自氢、Cl、Br、羟基、C1‑
C6烷基、C3‑
C6环烷基、C1‑
C6烷氧基、C1‑
C6胺基烷基、C1‑
C6胺基烷氧基、C2‑
C6酰基、C2‑
C6酰氧基、羟基取代的C1‑
C6烷基、F或Cl或Br取代的C1‑
C6烷基、C2‑
C6烯基、C2‑
C6炔基、芳基、三甲基硅氧基、三乙基硅氧基、三甲氧基硅氧基、三乙氧基硅氧基或由结构式(2)表示的基团;R
15
、R
17
、R
19
、R
21
分别选自含N或O或S杂原子基团或不存在;R
16
、R
18
、R
20
、R
22
分别选自F或Cl或Br取代的C1‑
C4烷基、C2‑
C4酰基、C1‑
C4羧基、C1‑
C4磺基、C1‑
C4砜基、C2‑
C4酯基、C2‑
C4酰胺基、C1‑
C4氰基、异氰酸基C1‑
C4烷基、脲基C1‑
C4烷基、胍基C1‑
C4烷基、二硫代碳酸基C1‑
C4烷基、甲基丙烯酸基C1‑
C4烷基、磷酸酯基C1‑
C4烷基、氧杂或氮杂C3‑
C5环烷基、琥珀酸酐基C1‑
C4烷基、铵盐基C1‑
C4烷基、芳基;x1至x4分别选自0至4的整数;j1至j3、k1至k3分别为0或1;p1至p3、q1至q3分别选自0至10的整数;n为0或1或2;其中所述结构式(2)为:6.所述如权利要求5所述的化学蚀刻组合物,其特征在于,所述复合硅烷化合物选自化合物1、化合物2中的一种或多种;所述化合物1为:
所述化合物2为:7.所述如权利要求1所述的化学蚀刻组合物,其特征在于,所述复合硅烷化合物具有结构式(3):其中,R
23
...
【专利技术属性】
技术研发人员:夏德勇,刘兵,张维棚,
申请(专利权)人:安集微电子上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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