【技术实现步骤摘要】
一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途
[0001]本专利技术涉及蚀刻液技术，尤其涉及一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途。
技术介绍
[0002]在半导体器件制造工艺中，利用沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺和离子注入工艺等在晶片上形成诸如氧化膜、氮化物膜、多晶硅膜和金属膜等各种膜，并且将这些膜构图为所需形状以完成所需器件。随着集成电路工艺制程技术的不断发展，半导体器件呈现高集成化和小型化，对湿法蚀刻的选择性要求越来越高。其中，金属硅化物层是为了解决因高度集成化带来的等效串联电阻越来越大、电路速度减慢的问题。微电技术中，二氧化硅(SiO2)膜被用作扩散掩蔽层、MOS器件的绝缘栅、多层布线的绝缘隔离层以及器件表面的钝化保护层等。因此，需要在保护金属硅化物层的基础上以高蚀刻选择性除去SiO2膜层。
[0003]现有技术中公开了一些氧化硅蚀刻液，例如：
[0004]CN111471463B公开了一种二氧化硅薄膜的蚀刻液，主要成分包括氢氟酸、氟化铵、添加剂、表面活性剂以及超纯水。该蚀...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：2.根据权利要求1所述高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，所述酸为无机酸和/或有机酸。3.根据权利要求2所述高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，所述酸为磷酸、亚硫酸、碳酸、亚硝酸、偏铝酸、甲酸、乙酸、辛酸、苯酚中的一种或多种。4.根据权利要求1所述高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，所述多卤素有机物为含有四个碳以上的、H原子多数被卤素替代的单链有机物。5.根据权利要求1所述高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，所述多卤素有机物为七氟丁酸、全氟
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丁磺酸、九氟戊酸、九氟戊酰氯、全氟己二酸水合物、八氟
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1,6
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己二醇、1,6
‑
二氯全氟己烷、1,6
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二溴全氟己烷和全氟异庚基碘化物中的一种或多种。6.根据权利要求1所述高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂为氨基酸型两性表面活性剂。7.根据权利要求1所述高选择性蚀刻晶圆表面氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：武文东，侯军，赵晓莹，孙昊然，
申请(专利权)人：浙江奥首材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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