氮化硅/氧化硅的3DNAND结构片的选择性蚀刻液制造技术

本发明专利技术公开了一种氮化硅/氧化硅的3D NAND结构片的选择性蚀刻液，该蚀刻液包括硅烷偶联剂、磷酸和水。本发明专利技术所述的氮化硅蚀刻液可提高氮化硅和氧化硅的蚀刻选择比，选择性去除氮化硅层，延长蚀刻液寿命，适应层叠结构的蚀刻。蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
氮化硅/氧化硅的3D NAND结构片的选择性蚀刻液


[0001]本专利技术属于电子化学品领域，具体涉及一种氮化硅和氧化硅的选择性蚀刻液。
技术背景
[0002]闪存芯片技术中，3D NAND技术垂直堆叠了多层数据存储单元，在更小的空间内容纳更多的存储单元，可打造出同类NAND技术三倍存储容量的设备，是存储芯片发展的必然趋势。
[0003]3D NAND工艺从96层向192层不断发展以获取更高的单位存储容量，其中氮化硅和氧化硅是交替层叠结构，磷酸从侧面快速蚀刻氮化硅层的同时对氧化硅层也有一定的腐蚀。蚀刻液需要对氮化硅具有较高的选择性，在蚀刻氮化硅层的同时几乎不蚀刻氧化硅层。随着蚀刻的进行大量硅酸进入蚀刻液中，当含量超过蚀刻液的溶解极限时便会在二氧化硅结构层上生长，造成存储芯片良率的下降甚至报废。
[0004]针对以上问题，需要在磷酸中添加复合添加剂，抑制二氧化硅蚀刻的同时稳定氮化硅及氧化硅的蚀刻速率。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种氮化硅和氧化硅的选择性蚀刻液，抑制二氧化硅的蚀刻，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅/氧化硅的3D NAND结构片的选择性蚀刻液，其特征在于，所述氮化硅选择性蚀刻液包括如下原料：1.5
‑
2％质量含量的硅烷偶联剂A；1.1
‑
1.4％质量含量的硅烷偶联剂B；83.0
‑
85.0％质量含量的磷酸；余量为去离子水。2.根据权利要求1所述的氮化硅/氧化硅的3D NAND结构片的选择性蚀刻液，其特征在于：所述的硅烷偶联剂A为[3
‑
(甲氨基)丙基]三甲氧基硅烷、N
‑
[3
‑
(三甲氧基硅基)丙基]丁
‑1‑
胺、[3
‑
(苯氨基)丙基]三甲氧基硅烷中的任意一种。3.根据权利要求1所述的氮化硅/氧化硅的3D NAND结构片的选择性蚀刻液，其特征在于：所述的硅烷偶联剂B为N
‑
(β
‑
氨乙基
‑
γ
‑
氨丙基)甲基二甲氧基硅烷、N
‑
[3
‑
(三甲氧基硅基)丙基]乙二胺、3
‑
[2
‑
(2
‑
氨...

【专利技术属性】
技术研发人员：班昌胜，贺兆波，叶瑞，姜飞，张庭，冯帆，冯凯，王书萍，杜程，彭飞，倪高国，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：