本发明公开了一种适用于深沟槽蚀刻的氮化硅选择性蚀刻液，该蚀刻液包括硅烷偶联剂改性的胶体二氧化硅、磷酸和水。本发明所述的氮化硅蚀刻液可提高氮化硅和氧化硅的蚀刻选择比，选择性去除氮化硅层，延长蚀刻液寿命，适应层叠结构的蚀刻。

本技术属于磷烷的金属检测领域，提供了磷烷检测吸收装置，磷烷减压阀经球阀一与流量计连接；氮气减压阀经球阀二与流量计连接；流量计经管道与防倒吸瓶一连接；防倒吸瓶经管道与洗气瓶连接；洗气瓶经管道与吸收瓶连接；吸收瓶经管道与尾气吸收装置连接。使...

本专利公开了一种单晶硅片用二氧化硅抛光废液的处理方法及应用，包括：将二氧化硅抛光废液进行过滤；制备处理剂，其重量百分含量包括如下组分：无机盐5‑30％、0.1‑2％螯合剂、醇醚类物质改性的表面活性剂0.1‑0.5％、消泡剂0.001‑0...

本发明提供了一种适用于微米级密集铜布线层的铜电镀液。所述的铜电镀液包括主盐五水合硫酸铜，无机酸硫酸和盐酸，有机硫化合物，非离子型乳化剂，表面活性剂。采用所述铜电镀液时，可以在含有溅射金属种子层和图形化光阻的结构片上在一定的电流密度下进行...

本发明公开了一种SiGe/Si和SiO2的选择性蚀刻液，属于电子化学品技术领域。所述选择性蚀刻液主要用于SiGe的湿法刻蚀，对SiGe具有良好的选择性，且对Si和SiO2的腐蚀性弱，主要成分包括1~15%的氧化剂、1~15%的氟源、0....

一种柠檬酸的结晶纯化装置及工艺流程，装置包括有配料罐、结晶釜、调节罐和成品储罐，配料罐的进料口处连通有配料进料管，配料罐的出料口处通过混料出料管连通结晶釜，结晶釜通过回收系统连通配料罐，结晶釜的出料口处连通溶液出料管，所述溶液出料管连通...

本发明公开了一种蚀刻后清洗液，主要应用于铜互连后段清洗，能有效去除干法蚀刻残留物或灰化后残留物。所述的清洗液由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：5‑15％氟化物、有机碱、螯合剂、缓蚀剂、表面活性剂，水补足余量。本发明的清洗...

本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种高效的SiOC晶圆再生液及其清洗方法，组成包括氧化剂、氟离子源、无机酸、表面活性剂和超纯水。该蚀刻液利用氧化剂将SiOC薄膜氧化，然后氟离子源将氧化物蚀刻溶解达到除去膜层的作用，无机酸提供了...

本发明提供了一种用于铜制程干法蚀刻后的清洗液，按质量百分比计，含有5‑10~12%螯合剂、20‑30%的有机溶剂、3‑100%的pH调节剂、3‑10%缓蚀剂和水，清洗液的pH控制在6~10。本发明提供的清洗液，能够有效去除铜制程蚀刻后的...

本发明提供了一种去除铜制程铝垫蚀刻后残留物的清洗液，适用于铜制程金属铝垫晶圆蚀刻后残留物的清洗。本发明解决了羟胺类清洗液价格昂贵，和半水性清洗液使用过程中腐蚀抑制剂析出问题，提供了一种经济、安全、环保的半水性清洗液组合物。清洗液主要成分...

本发明公开了一种多晶硅蚀刻液及应用，该蚀刻液包括芳香族羧酸、硅烷偶联剂、脂肪族羧酸、磷酸和水。本发明所述的多晶硅蚀刻液可在较高硅酸浓度下仍保持较高的蚀刻速率，蚀刻后表面粗糙度较低，适应深孔结构的蚀刻。

一种柠檬酸的干燥装置，包括有进料系统、冷凝系统、搅拌干燥装置、进风系统和集料系统，搅拌干燥装置的上端设置有进料口和出气口，搅拌干燥装置的下端设置有冷风口和出料口，所述进料口连通进料系统，出气口连通冷凝系统，冷风口连通进风系统，出料口连通...

本技术公开了一种高纯四甲基硅烷的连续化生产装置。本纯化装置包括原料储罐，原料储罐具有进料口和出料口；脱重精馏塔，脱重精馏塔进料口与原料储罐出料口相连；脱轻精馏塔，脱轻精馏塔进料口经塔顶冷凝器与脱重精馏塔出口相连；吸附系统，吸附系统所装填...

本专利提供了一种高纯度无废液电子级草酸的提纯方法，可将各金属含量均降至1ppb以下，SO42‑、Cl‑、NO3‑等阴离子含量降至5ppb以下，且收率达70％以上。将工业级二水草酸加水混合后，加热至完全溶解，得到草酸溶液；步骤2：将草酸溶...

本发明公开了一种多晶硅的均匀蚀刻液，包括以下质量百分数原料：10‑30%碱性物质，1‑10%氧化剂，0.2‑5%含氟化合物，0.1‑1%氟离子稳定剂，0.01‑0.05%氧化剂稳定剂，余量为去离子水。可将不同浓度硅含量下的多晶硅蚀刻速率...

本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种高选择性的掺碳Poly蚀刻液及其制备和蚀刻方法。所述高选择性掺碳Poly蚀刻液主要用于相对氮化硅和氧化硅选择性蚀刻含掺碳poly，其组成包括氧化剂、氟离子源、无机酸、添加剂和超纯水。该蚀刻液...

本发明提供了一种用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法，其中蚀刻液的主要成分包括10%~30%的硝酸、0.5%~20%的氢氟酸、10%~70%的醋酸、0.5%~10%的无机铵盐，及0.01~1%的表面活性剂。该蚀刻液主要...

本发明提供了一种电子级KOH的多级结晶纯化工艺，包括以下步骤：以工业级KOH为原料配制适宜浓度的KOH溶液进行一级结晶，将一级结晶的滤液进行二级结晶，最终将一级结晶和二级结晶得到的晶体混合溶解后进行三级结晶，通过离心洗涤过滤后得到超高纯...

本文描述了一种相对于二氧化硅的硅锗选择性蚀刻液。该蚀刻液主要成分包括氟化物、氧化剂、缓冲组合物、二氧化硅抑制剂、表面活性剂和水。本发明蚀刻液通过抑制二氧化硅的蚀刻速率提高硅锗对二氧化硅的蚀刻选择比。在所述硅锗被至少部分的去除之后冲洗所述...

一种用于电子级氢氧化钾结晶深度提纯装置及方法，该装置包括有原料罐、结晶器、离心机和配制罐，原料罐的出料口与结晶器的进料口相连通，结晶器的出料口与离心机的进料口相连通，离心机的出料口与配制罐的进料口相连通；所述原料罐的内部设有第一搅拌器，...