一种多晶硅的均匀蚀刻液制造技术

本发明专利技术公开了一种多晶硅的均匀蚀刻液，包括以下质量百分数原料：10‑30%碱性物质，1‑10%氧化剂，0.2‑5%含氟化合物，0.1‑1%氟离子稳定剂，0.01‑0.05%氧化剂稳定剂，余量为去离子水。可将不同浓度硅含量下的多晶硅蚀刻速率调节为同一速率，从而解决深孔上下因蚀刻时间和距离造成的蚀刻速率不一致问题，该蚀刻方法可解决蚀刻液最高600ppm硅酸浓度，粗糙度Ra<0.5nm，蚀刻6h后蚀刻速率不变化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子化学品，具体涉及一种多晶硅的均匀蚀刻液。

技术介绍

1、多晶硅是一种在半导体制造过程中广泛使用的材料，其作用多方面而又不可或缺。

2、首先，多晶硅层在半导体芯片的制造过程中起到了关键的保护作用。在芯片制造的过程中多晶硅层被用来封装和保护芯片的核心部分它可以有效地防止处界的湿气灰尘、化学品等对芯片的侵蚀。同时，多晶硅还可以减少芯片在温度变化时产生的热应力，从而保护芯片不被破裂或变形。其次，多晶硅层在半导体芯片制造中还有助于提高电子器件的性能。

3、然而多晶硅的蚀刻速率稳定性、硅浓度的影响以及蚀刻后表面粗糙度大大影响了多晶硅蚀刻液的应用，已经有专利技术人研究了多个碱性物质的蚀刻，采用质量分数为23.8%的四甲基氢氧化铵对其具有较好的蚀刻作用，但是其表面形貌较差，界面粗糙无法进一步应用，同时随着蚀刻的进行，硅酸浓度对其影响较大，蚀刻液中存在300ppmsi将会将其蚀刻速率降低70%。也有专利技术人在酸性条件下采用双氧水蚀刻，蚀刻速率仅为1a/min，若蚀刻15nm厚度将会大大降低其蚀刻效率，并且蚀刻稳定性较差，蚀刻2h后本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多晶硅的均匀蚀刻液，其特征在于：包括以下质量百分数原料：

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅的均匀蚀刻液，其特征在于：所述碱性物质为质量分数为10-20%的水溶液。

3.根据权利要求2所述的一种多晶硅的均匀蚀刻液，其特征在于：所述碱性物质为三乙醇胺、二乙醇胺、单乙醇胺、四甲基氢氧化铵、氨水、三乙胺、乙二胺、羟胺的水溶液中的任一种。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅的均匀蚀刻液，其特征在于：所述氧化剂为质量分数为10-20%的水溶液。

5.根据权利要求4述的一种多晶硅的均匀蚀刻液，其特征在于：所述氧化剂为双氧水、过硫酸铵、过硫酸钾、...

【技术特征摘要】

1.一种多晶硅的均匀蚀刻液，其特征在于：包括以下质量百分数原料：

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅的均匀蚀刻液，其特征在于：所述碱性物质为质量分数为10-20%的水溶液。

3.根据权利要求2所述的一种多晶硅的均匀蚀刻液，其特征在于：所述碱性物质为三乙醇胺、二乙醇胺、单乙醇胺、四甲基氢氧化铵、氨水、三乙胺、乙二胺、羟胺的水溶液中的任一种。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅的均匀蚀刻液，其特征在于：所述氧化剂为质量分数为10-20%的水溶液。

5.根据权利要求4述的一种多晶硅的均匀蚀刻液，其特征在于：所述氧化剂为双氧水、过硫酸铵、过硫酸钾、高碘酸、次氯酸钠、次氯酸钾、高锰酸钾的水溶液中的任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：严凡，贺兆波，叶瑞，姜飞，张庭，班昌胜，冯凯，王书萍，樊澌，罗月，苏张轩，李素云，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：