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本发明公开了一种多晶硅的均匀蚀刻液，包括以下质量百分数原料：10‑30%碱性物质，1‑10%氧化剂，0.2‑5%含氟化合物，0.1‑1%氟离子稳定剂，0.01‑0.05%氧化剂稳定剂，余量为去离子水。可将不同浓度硅含量下的多晶硅蚀刻速率调节...
该专利属于湖北兴福电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北兴福电子材料股份有限公司授权不得商用。

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