用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法技术

本发明专利技术提供了一种用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法，其中蚀刻液的主要成分包括10%~30%的硝酸、0.5%~20%的氢氟酸、10%~70%的醋酸、0.5%~10%的无机铵盐，及0.01~1%的表面活性剂。该蚀刻液主要用于在半导体集成电路制造工艺中形成特殊的微结构器件及晶圆腐蚀的自停止控制，同时存在不同掺杂浓度硅的结构片蚀刻时选择性蚀刻掺杂高的硅；具体蚀刻过程分两步进行，首先采用蚀刻液将相对较高掺杂的硅转化成多孔状的硅，再通过稀碱溶液将多孔硅去除，从而达到较高的选择比。该蚀刻液使阳极形成多孔硅的选择比极高，具有广阔的使用前景和工业化使用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子化学品领域，具体涉及一种用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法。

技术介绍

1、在半导体集成电路制造工艺中，硅膜自停止化学腐蚀有着广泛的应用，可用于形成特殊的微结构器件及晶圆腐蚀的自停止控制。硅膜自停止腐蚀工艺包括：晶面自停止工艺、掺杂类型自停止工艺(p型或n型)和重掺杂自停止工艺(p+或n+)。

2、重掺杂自停止工艺中，硅在含氢氟酸溶液中主要发生电化学腐蚀，即在含氢氟酸的溶液中，不同类型硅相接触，阳极先发生反应。掺杂量越高的越容易发生反应，即为阳极；掺杂量低的即为阴极，阴极上主要发生氢离子的还原反应，所以作阴极的硅被保护起来，腐蚀速率会很低，故腐蚀会停止在较低掺杂层。

3、现有的高掺杂选择性蚀刻常用的是hna一步法蚀刻。即单纯的硝酸、醋酸、氢氟酸体系。但其蚀刻速率非常快，达到几个微米每分钟，蚀刻后表面粗糙度大后续需要进行cmp步骤，且hna使用前需要额外的激活步骤饱和溶液中的亚硝酸含量，否则蚀刻速率是不稳定的。

技术实现思路

1、针对重掺选择性蚀刻液本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液，其特征在于：按质量百分比计，蚀刻液含有10%~30%的硝酸、0.5%~20%的氢氟酸、10%~70%的醋酸、0.5%~10%的无机铵盐及0.01~1%的表面活性剂，余量为水。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述的无机铵盐为氟化铵、氟化氢铵、氯化铵、硫酸铵、过硫酸铵、硫酸氢氨、硝酸铵、醋酸铵、柠檬酸铵、磷酸铵、磷酸二氢铵或磷酸一氢铵中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述表面活性剂为正庚酸、正辛酸、正癸酸、壬酸、异辛酸、油酸、柠檬酸月桂醇酯中的一种或多种。

4.权...

【技术特征摘要】

1.一种用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液，其特征在于：按质量百分比计，蚀刻液含有10%~30%的硝酸、0.5%~20%的氢氟酸、10%~70%的醋酸、0.5%~10%的无机铵盐及0.01~1%的表面活性剂，余量为水。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述的无机铵盐为氟化铵、氟化氢铵、氯化铵、硫酸铵、过硫酸铵、硫酸氢氨、硝酸铵、醋酸铵、柠檬酸铵、磷酸铵、磷酸二氢铵或磷酸一氢铵中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述表面活性剂为正庚酸、正辛酸、正癸酸、壬酸、异辛酸、油酸、柠檬酸月桂醇酯中的一种或多种。

4.权利要求1~3任意一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺兆波，余迪，叶瑞，尹印，王亮，万杨阳，彭浩，臧洋，路明，孟牧麟，曾婷，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：