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本发明提供了一种用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法，其中蚀刻液的主要成分包括10%~30%的硝酸、0.5%~20%的氢氟酸、10%~70%的醋酸、0.5%~10%的无机铵盐，及0.01~1%的表面活性剂。该蚀刻液主要用于...
该专利属于湖北兴福电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北兴福电子材料股份有限公司授权不得商用。

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