本发明提供了一种半导体用铜蚀刻液及其在旋转喷淋工艺中的应用，按质量百分比计，该铜蚀刻液含有1%~3%的过氧化物、1%~5%的磷酸、0.1%~1%的pH调节剂、0.5%‑1%的腐蚀抑制剂和0.01%‑0.1%的添加剂，余量为去离子水；其中...

本发明公开了一种抑制氮化钛腐蚀的沟槽缓冲蚀刻液，主要成分为氢氟酸、氟化铵、有机胺、表面活性剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于沟槽氧化硅薄膜的蚀刻，并可抑制氮化钛层腐蚀。有机胺与氮化钛表面金属离子反应，形成保护膜层，可有效抑制蚀刻液对氮化钛...

本发明提供了一种氮化硅和钨的选择性蚀刻液，按质量百分数计，包括72%‑85%的电子级磷酸、1.25%‑1.75%的含硅化合物、0.0263%‑0.0369%的氢氟酸、0.02%‑0.07%的磺酸类物质、0.1%‑1.0%的钨蚀刻抑制剂，...

本技术提供一种电子级包装桶气密性在线检测装置，包括对电子级包装桶进行输送的输送线，所述输送线的检测位设有检测机构，检测机构包括横跨在输送线上的机架，机架上设有伸缩机构，伸缩机构的伸缩端设有开口向下的真空箱，真空箱正对输送线设置，真空泵通...

本发明公开了一种高深宽比的铝蚀刻液及应用，按照质量百分比，将60‑75%磷酸、1‑3%硝酸、10‑20%冰醋酸、0.2‑2.5%复配缓冲剂、0.005‑1%阴离子表面活性剂与去离子水混合制备得到铝蚀刻液，其中利用弱酸盐和醇胺类化合物复配...

本发明提供了一种高选择性含银合金膜的蚀刻液及其应用，该蚀刻液按质量百分比计，包括占蚀刻液总重量40‑55%的磷酸、1‑4%的硝酸、8‑15%的醋酸、0.5‑2%的硝酸钾和0.05‑0.5%的金属掩蔽剂，其余为去离子水；其中金属掩蔽剂为氮...

本发明提供了一种含氟清洗液组合物及其应用，该含氟清洗液组合物按质量百分比计，包括40%‑70%的有机溶剂，0.1%‑5%的羧酸，0.1%‑5%的羧酸盐，0.1%‑5%的氟化物，0.1%‑5%的缓蚀剂，0.1%‑5%的分散剂，余量为水；其...

本技术公开一种电子级特种气体取样和检测装置，包括进样气路，进样气路末端设有气体缓冲瓶，气体缓冲瓶出气口通过连接管路分别与第一检测仪器保护气气路和第一检测仪器进气气路连接，气体缓冲瓶排气口与排空气路连接，进样气路侧部与吹扫气气路连接，气体...

本发明公开了一种粒径可控分散度低的溶胶二氧化硅及合成方法，采用种子预制法，现将部分有机硅烷滴加至含有多元醇和粒径稳定剂的碱性水溶液中，搅拌预制种子，然后继续滴加剩下的有机硅烷制备得到溶胶二氧化硅。本发明制备得到的溶胶二氧化硅粒径可控、分...

本发明提供一种生产高纯有机胺的方法，包括如下步骤：步骤一、将工业级有机胺原料装入到原料储罐中，将离子交换树脂进行装柱，利用气动泵将有机胺原料通入离子交换树脂柱，通过离子交换树脂去除金属离子后，有机胺输送至中间储罐中；步骤二、把中间储罐中...

本发明提供一种选择性铜及其合金蚀刻液，所述的蚀刻液成分包括占蚀刻液总重量3‑12％的双氧水、4‑8％的有机酸、2‑6％的复配非离子型表面活性剂、0.05‑0.3％的络合剂，剩余为去离子水。有机酸可提供酸性环境，还可作为螯合剂与蚀刻产生的...

本发明提供一种连续生产电子级甲基硅烷的系统及方法，该系统包括原料罐，所述原料罐通过管路和第一输送泵与脱重塔连接，脱重塔顶部通过管路与吸附单元连接，吸附单元通过管路依次与冷凝器和中间储罐连接，中间储罐通过管路和第二输送泵与脱轻塔连接，脱轻...

本发明公开了一种低羟胺干法刻蚀残留物清洗液及其制备方法与应用，利用40%‑60%的极性有机溶剂、3%‑5%的羟胺类化合物、15%‑30%的醇胺、5%‑10%的螯合剂和水制备得到低羟胺干法刻蚀残留物清洗液，其对铝、铝铜、钛、钨、氮化钛、氮...

本发明公开了一种先进封装用铜电镀液整平剂的制备方法，所述整平剂为聚乙烯亚胺与饱和脂肪二胺或脂肪烷基胺混合胺聚氧丙/乙烯醚磺酸钾盐氯化物的水溶液。本发明所述的整平剂搭配基础液、加速剂和抑制剂得到先进封装用铜电镀溶。其中基础液为硫酸铜、硫酸...

本发明提供了一种抑制光刻胶下氧化硅侧向蚀刻的深沟槽蚀刻液，该蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：3‑9%的氢氟酸、30‑38%的氟化铵、0.01‑0.1%的活性剂，余量为超纯水；其中添加剂为三胺类的有机胺小分子与丙二醇嵌段聚醚大分子的混...

本发明涉及一种半导体逆电镀剥金剂及其使用方法。利用有机酸、碱性化合物、有机盐缓冲物、表面活性剂、醇类物质、氯化物等形成半导体逆电镀剥金剂，以晶圆为阳极、钛网等为阴极浸没于逆电镀剥金剂中，在恒电流的作用下进行晶圆上金单质的剥离。通过逆电镀...

本发明公开了一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂及使用方法，包括0.01%‑10%配位剂，2%‑10%导电化合物，0.01‑2%pH调节剂，剥金时将待剥金的材料作为阳极，通过电化学方法现将材料上的金氧化，并与剥金剂中配位剂结合形成可...

本发明公开了一种抑制硅内壁腐蚀的氧化硅深沟槽低泡蚀刻液及应用，该蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：3‑6%的氢氟酸、30‑38%的氟化铵、0.001‑0.05%的活性剂，余量为超纯水；其中活性剂为二胺、三胺具有支链的有机胺类化合物与甲...

本发明提供一种锡铜钛蚀刻液，所述的蚀刻液成分包括占蚀刻液总重量3‑10%的双氧水、2‑10%的有机酸、0.5‑2%的氟化物、1‑6%的无机酸，0.1‑5%的金属掩蔽剂，剩余为去离子水，其中，氟化物与无机酸的质量分数比为1:2‑1:3。无...

本发明公开了一种高纯四甲基硅烷的连续化生产工艺，对有机硅低沸原料进行精馏脱重除杂处理，除去原料中氯代硅烷等沸点较高的组分；对脱重除杂后的物料进行精馏脱轻除杂处理，脱轻塔用于脱除小分子烷烃、氯代烷烃、烯烃等沸点较低的组分；对脱重脱轻后的物...