【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于金属湿法蚀刻和半导体显示技术交叉领域，具体涉及一种高选择性含银合金膜的蚀刻液及其应用。
技术介绍
1、随着5g、高性能计算、数据中心、ai智能、车载显示等应用的推动，用于各种行业领域显示大量信息的显示器需求越来越高，半导体显示领域急速发展，受到社会关注。oled元件自身发光且在低电压下也能够被驱动，因此oled目前不仅在便携设备等小型显示装置市场中迅速应用，而且随着显示装置的大屏幕化趋势，oled生产也在布局大世代产线。
2、金属银导热和导电性能很好，质软，富延展性，其反光率极高，为解决电阻增大所带来的信号延迟和高反光率需求，银膜在oled工序中常作显示器件的阴级和阳极，阳极通常为含银复合膜(ito-ag-ito)，阴极为含银合金膜(mgag)，传统工艺中，阳极湿法蚀刻得到布线图案，阴极用金属掩模板蒸镀完成布线图案。
3、但是，随着oled产线扩大，含银的阴级和阳极膜层可能均采用湿法蚀刻，用于蚀刻含银的阴级和阳极膜层的蚀刻液也同样会腐蚀信号传输线(ti-al-ti)中的金属铝，导致铝线条线宽变窄，影响光电子信号传输和存在铝线断裂的风险。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种高选择性含银合金膜的蚀刻液及其应用，其在蚀刻含银合金膜的同时保护铝不被腐蚀。
2、为了实现上述目标，本专利技术采用如下的技术方案：一种高选择性含银合金膜的蚀刻液，按质量百分比计，包括占蚀刻液总重量40-55％的磷酸、1-4％的硝酸、8-15％的醋酸、0.5-2％
3、进一步地，所述的氮苯类化合物为吡啶、吖啶、喹啉或苯并喹啉中的一种。
4、进一步地，所述的氮苯类化合物为吡啶。
5、进一步地，吡啶季铵盐的结构式如下：
6、
7、其中，n为0或12～16，m为6～10，x为cl、br、i中的任意一种。
8、进一步地，吡啶季铵盐采用不同碳原子的有机胺和1卤素取代基的不同碳原子烷烃对含羧基的吡啶进行酰胺化和季铵化两步反应制得。
9、本专利技术还涉及所述的蚀刻液在蚀刻银合金膜并抑制铝蚀刻中的应用，银合金膜为单层膜，银合金膜中的合金元素包括银以及选自铜、锌、锰、镁中的一种。
10、本专利技术具有以下有益效果：
11、1、充分考虑到含银合金膜蚀刻液体系强氧化强酸性的特点，结合氮苯化合物和季铵盐阳离子对铝金属表面的共价键吸附特性，开发了一种吡啶季铵盐，不同碳原子的有机胺和1卤素取代基的不同碳原子烷烃对含羧基的吡啶进行酰胺化和季铵化反应，得到吡啶季铵盐，吡啶季铵盐为阳离子活性剂并且具有很强的芳香性，强氧化性强酸性环境中，吡啶季铵盐物理和化学吸附到铝金属表面，在蚀刻含银合金膜的同时保护铝不被腐蚀。
12、2、传统杂氮和氮苯类化合物掩蔽剂，它在单酸环境中对铝腐蚀有一定的抑制性，但是在磷酸、硝酸和醋酸混合酸中，在强氧化性环境下铝抑制效果差。
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1.一种高选择性含银合金膜的蚀刻液，其特征在于：按质量百分比计，包括占蚀刻液总重量40-55％的磷酸、1-4％的硝酸、8-15％的醋酸、0.5-2％的硝酸钾和0.05-0.5％的金属掩蔽剂，其余为去离子水；其中金属掩蔽剂为氮苯类化合物的季铵盐。
2.根据权利要求1所述的高选择性含银合金膜的蚀刻液，其特征在于：所述的氮苯类化合物为吡啶、吖啶、喹啉或苯并喹啉中的一种。
3.根据权利要求2所述的高选择性含银合金膜的蚀刻液，其特征在于：所述的氮苯类化合物为吡啶。
4.根据权利要求3所述的高选择性含银合金膜的蚀刻液，其特征在于：吡啶季铵盐的结构式如下：
5.根据权利要求4所述的高选择性含银合金膜的蚀刻液，其特征在于：吡啶季铵盐采用不同碳原子的有机胺和1卤素取代基的不同碳原子烷烃对含羧基的吡啶进行酰胺化和季铵化两步反应制得。
6.权利要求1～5任意一项所述的蚀刻液在蚀刻银合金膜并抑制铝蚀刻中的应用，其特征在于：银合金膜为单层膜，银合金膜中的合金元素包括银以及选自铜、锌、锰、镁中的一种。
【技术特征摘要】
1.一种高选择性含银合金膜的蚀刻液，其特征在于：按质量百分比计，包括占蚀刻液总重量40-55％的磷酸、1-4％的硝酸、8-15％的醋酸、0.5-2％的硝酸钾和0.05-0.5％的金属掩蔽剂，其余为去离子水；其中金属掩蔽剂为氮苯类化合物的季铵盐。
2.根据权利要求1所述的高选择性含银合金膜的蚀刻液，其特征在于：所述的氮苯类化合物为吡啶、吖啶、喹啉或苯并喹啉中的一种。
3.根据权利要求2所述的高选择性含银合金膜的蚀刻液，其特征在于：所述的氮苯类化合物...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶瑞，黄锣锣，贺兆波，欧阳克银，钟昌东，张演哲，黎鹏飞，郑秋曈，高楒羽，张宗萍，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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