一种适用于深沟槽蚀刻的氮化硅蚀刻液制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于深沟槽蚀刻的氮化硅选择性蚀刻液，该蚀刻液包括硅烷偶联剂改性的胶体二氧化硅、磷酸和水。本发明专利技术所述的氮化硅蚀刻液可提高氮化硅和氧化硅的蚀刻选择比，选择性去除氮化硅层，延长蚀刻液寿命，适应层叠结构的蚀刻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子化学品领域，具体涉及一种深沟槽的氮化硅选择性蚀刻液。

技术介绍

0、技术背景

1、闪存芯片技术中，3d nand技术垂直堆叠了多层数据存储单元，在更小的空间内容纳更多的存储单元，可打造出同类nand技术三倍存储容量的设备，是存储芯片发展的必然趋势。

2、3d nand工艺从96层向192层不断发展以获取更高的单位存储容量，其中氮化硅和氧化硅是交替层叠结构，磷酸从侧面快速蚀刻氮化硅层的同时对氧化硅层也有一定的腐蚀。蚀刻液需要对氮化硅具有较高的选择性，在蚀刻氮化硅层的同时几乎不蚀刻氧化硅层。随着蚀刻的进行大量硅酸进入蚀刻液中，当含量超过蚀刻液的溶解极限时便会在二氧化硅结构层上生长，造成存储芯片良率的下降甚至报废。

3、对此可在磷酸中添加各类硅基化合物，抑制二氧化硅蚀刻的同时防止硅酸回粘，而硅烷偶联剂类添加剂在抑制二氧化硅的同时也会一定程度的抑制氮化硅的蚀刻，导致蚀刻时间延长。相比之下，胶体二氧化硅可在很低的添加量(<0.3wt％)下达到较高的sin/sio蚀刻选择比，对氮化硅蚀刻速率的抑制几乎可以忽略本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适用于深沟槽的氮化硅选择性蚀刻液，其特征在于，所述氮化硅选择性蚀刻液包括如下原料：

2.根据权利要求1所述的氮化硅选择性蚀刻液，其特征在于：所述的硅烷偶联剂为氨丙基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三乙氧基硅烷、脲丙基三甲氧基硅烷、脲丙基三乙氧基硅烷、2-氰乙基三甲氧基硅烷、2-氰乙基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷中的一种。

3.根据权利要求1所述的氮化硅选择...

【技术特征摘要】

1.一种适用于深沟槽的氮化硅选择性蚀刻液，其特征在于，所述氮化硅选择性蚀刻液包括如下原料：

2.根据权利要求1所述的氮化硅选择性蚀刻液，其特征在于：所述的硅烷偶联剂为氨丙基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷、n-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、n-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三乙氧基硅烷、脲丙基三甲氧基硅烷、脲丙基三乙氧基硅烷、2-氰乙基三甲氧基硅烷、2-氰乙基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷中的一种。

3.根据权利要求1所述的氮化硅选择性蚀刻液，其特征在于：所述的改性二氧化硅溶胶中二氧化硅与硅烷偶联剂的质量比为100:0.1-100:0.3，优选为100：0.2。

4.根据权利要求1所述的氮化硅选择性蚀刻液，其特征在于：所述改性硅溶胶制备过程中硅烷水解液里乙醇/水体积比为6:1-12:1，优选为9:1，硅烷水解液和硅溶胶反应温度为60-85℃，优选为80℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：班昌胜，贺兆波，叶瑞，姜飞，张庭，冯凯，王书萍，冯帆，严凡，樊澌，陈小超，罗海燕，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：