一种抑制光刻胶下氧化硅侧向蚀刻的深沟槽蚀刻液制造技术

本发明专利技术提供了一种抑制光刻胶下氧化硅侧向蚀刻的深沟槽蚀刻液，该蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：3‑9%的氢氟酸、30‑38%的氟化铵、0.01‑0.1%的活性剂，余量为超纯水；其中添加剂为三胺类的有机胺小分子与丙二醇嵌段聚醚大分子的混合物。通过三胺类的有机胺小分子与长碳链大分子活性剂的复配使用，蚀刻液的表面张力低、对硅的浸润性好、不易起泡，该蚀刻液将深沟槽内的氧化硅蚀刻完全且无残留。更重要的是，对于光刻胶覆盖下氧化硅侧向蚀刻抑制作用明显，显著降低光刻胶下氧化硅的侧向腐蚀，可以有效提高器件生产的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于蚀刻液，具体涉及一种抑制光刻胶下氧化硅侧向蚀刻的深沟槽蚀刻液。

技术介绍

1、在功率半导体制造工艺中，一般先在硅表面利用干法蚀刻出特定尺寸的深沟槽，然后在沟槽内沉积不同的氧化硅介质层，并利用特定的光掩膜板在其表面涂敷特定形状的光刻胶保护下层的介质层。最后再利用湿法蚀刻将深未被光刻胶覆盖保护的深沟槽内的氧化硅介质层蚀刻完全。未被光刻胶覆盖保护的氧化硅介质层蚀刻完全，由于蚀刻液的各向同性，蚀刻液会对光刻胶保护下的氧化硅介质层有侧向蚀刻作用，进而影响后续工艺的良率。为了提高工艺的良率，需要蚀刻液对于氧化硅介质的侧向蚀刻有显著的抑制作用。

2、氧化硅介质层的湿法蚀刻一般利用缓冲氧化物蚀刻液来完成，但是缓冲氧化物蚀刻液由于界面张力大、对于硅的浸润性差而难以将深沟槽的氧化硅介质层蚀刻完全。更为重要的是，缓冲氧化物蚀刻液对于光刻胶保护下的氧化硅介质层有明显侧向蚀刻作用，降低了后续工艺的良率。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种抑制光刻胶下氧化硅侧向蚀刻的深沟槽蚀刻液，对于硅的浸润性好且不易起泡，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抑制光刻胶下氧化硅侧向蚀刻的深沟槽蚀刻液，其特征在于：蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：3-9%的氢氟酸、30-38%的氟化铵、0.01-0.1%的活性剂，余量为超纯水；活性剂为三胺类的有机胺小分子与丙二醇嵌段聚醚大分子的混合物。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述三胺类的有机胺小分子与丙二醇嵌段聚醚的质量比为90-95：5-10。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻液，其特征在于：所述三胺类的有机胺小分子为三正戊胺、三正己胺、三正庚胺、三正辛胺、三异辛胺、三正壬胺的一种或几种组合；优选三正辛胺。

4.根据权利要求1所述的蚀刻液，...

【技术特征摘要】

1.一种抑制光刻胶下氧化硅侧向蚀刻的深沟槽蚀刻液，其特征在于：蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：3-9%的氢氟酸、30-38%的氟化铵、0.01-0.1%的活性剂，余量为超纯水；活性剂为三胺类的有机胺小分子与丙二醇嵌段聚醚大分子的混合物。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述三胺类的有机胺小分子与丙二醇嵌段聚醚的质量比为90-95：5-10。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻液，其特征在于：所述三胺类的有机胺小分子为三正戊胺、三正己胺、三正庚胺、三正辛胺、三异辛胺、三正壬胺的一种或几种组合；优选三正辛胺。

4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：武昊冉，张庭，贺兆波，李金航，许真，董攀飞，叶瑞，徐子豪，王巍，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：