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本发明提供了一种抑制光刻胶下氧化硅侧向蚀刻的深沟槽蚀刻液，该蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：3‑9%的氢氟酸、30‑38%的氟化铵、0.01‑0.1%的活性剂，余量为超纯水；其中添加剂为三胺类的有机胺小分子与丙二醇嵌段聚醚大分子的混合物...该专利属于湖北兴福电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北兴福电子材料股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种抑制光刻胶下氧化硅侧向蚀刻的深沟槽蚀刻液，该蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：3‑9%的氢氟酸、30‑38%的氟化铵、0.01‑0.1%的活性剂，余量为超纯水；其中添加剂为三胺类的有机胺小分子与丙二醇嵌段聚醚大分子的混合物...