一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂及使用方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂及使用方法，包括0.01%‑10%配位剂，2%‑10%导电化合物，0.01‑2%pH调节剂，剥金时将待剥金的材料作为阳极，通过电化学方法现将材料上的金氧化，并与剥金剂中配位剂结合形成可溶性的金配位化合物，从而将金从材料了剥除，在不使用任何有毒氰化物和强氧化剂的前提下实现了剥金，并使剥金后的材料表面可以维持极低的表面粗糙度，从而获得高平整度的表面。本发明专利技术可以通过通知逆电镀剥金剂中配位剂的含量、pH值，剥金时的工作温度以及所施加的恒电流密度，在较宽的范围内对剥金速率实现精确调控，从而实现对不同材料的剥金处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制程中将晶圆上金部分剥离的，具体涉及一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂及使用方法。

技术介绍

1、金(gold)具有良好的导电性能，在众多金属中导电性仅次于银和铜，然而金具有银和铜不具有的极高的化学稳定性和物理特性，如金具有极高的抗化学腐蚀性能和抗变色性能，在高温下不熔化、不氧化、不损耗、不变色，而银和铜在高温下极易氧化而影响电气性能，导致电路开路。因此，半导体制程中在某些情况下会使用金作为导电金属层，而为了制作不同金的结构或者达到不同的厚度，需要使用金蚀刻液对晶圆表面的金进行部分刻蚀/剥除。

2、现有的金蚀刻液包括“氰系”、“王水系”以及“碘系”，其中“氰系”是以氢氧化钠和氰化物为主要成分，通过金容易与氰离子形成配合物而进行蚀刻，但是“氰系”具有强碱性，并且氰有剧毒，对操作人员的要求高、危害大；因此在电子工业的应用中，除了有在电镀后用于引线图形的完全除去的例子(jph08148810a)以外很少使用。“王水系”为利用浓盐酸和浓硝酸混合制备得到金蚀刻液，虽然常用于半导体基板的金膜蚀刻，但是蚀刻速度较慢，并且其具有的强酸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂，其特征在于：所述逆电镀剥金剂包括以下质量百分数原料：0.01%-10%配位剂，2%-10%导电化合物，0.01-2% pH调节剂，余量为水 。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂，其特征在于：所述逆电镀剥金剂的pH值为3-6。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂，其特征在于：所述配位剂为能与金形成配位共价键的硫化物、卤素及其化合物和氨基酸中的任一种。

4.根据权利要求3所述的一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂，其特征在于：所述的硫化物为亚硫酸...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂，其特征在于：所述逆电镀剥金剂包括以下质量百分数原料：0.01%-10%配位剂，2%-10%导电化合物，0.01-2% ph调节剂，余量为水 。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂，其特征在于：所述逆电镀剥金剂的ph值为3-6。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂，其特征在于：所述配位剂为能与金形成配位共价键的硫化物、卤素及其化合物和氨基酸中的任一种。

4.根据权利要求3所述的一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂，其特征在于：所述的硫化物为亚硫酸盐或硫代硫酸盐；所述卤素及其化合物为nacl、kcl、nh4cl、cacl2等；所述氨基酸为蛋氨酸、半胱氨酸或胱氨酸等。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺兆波，秦祥，叶瑞，张演哲，覃飞飞，雷康乐，付艳梅，黄健飞，李文飞，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：