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本发明公开了一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂及使用方法，包括0.01%‑10%配位剂，2%‑10%导电化合物，0.01‑2%pH调节剂，剥金时将待剥金的材料作为阳极，通过电化学方法现将材料上的金氧化，并与剥金剂中配位剂结合形成可溶性...该专利属于湖北兴福电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北兴福电子材料股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂及使用方法，包括0.01%‑10%配位剂，2%‑10%导电化合物，0.01‑2%pH调节剂，剥金时将待剥金的材料作为阳极，通过电化学方法现将材料上的金氧化，并与剥金剂中配位剂结合形成可溶性...