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本发明公开了一种氮化硅/氧化硅的3D NAND结构片的选择性蚀刻液，该蚀刻液包括硅烷偶联剂、磷酸和水。本发明所述的氮化硅蚀刻液可提高氮化硅和氧化硅的蚀刻选择比，选择性去除氮化硅层，延长蚀刻液寿命，适应层叠结构的蚀刻。蚀刻。
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该专利属于湖北兴福电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北兴福电子材料股份有限公司授权不得商用。

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