用于氮化硅层的蚀刻组合物以及使用该组合物蚀刻氮化硅层的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物以及使用该组合物蚀刻氮化硅层的方法。该组合物包含无机酸或其盐；以及双硅烷化合物与氨基硅烷化合物的聚合物、该聚合物的反应产物或它们的组合。或它们的组合。

【技术实现步骤摘要】
用于氮化硅层的蚀刻组合物以及使用该组合物蚀刻氮化硅层的方法
[0001]相关申请的引证
[0002]本申请要求于2021年8月24日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0111782号的权益，通过引用将其全部内容并入本申请。


[0003]本专利技术涉及用于氮化硅层的蚀刻组合物以及使用该组合物蚀刻氮化硅层的方法。更具体地，本专利技术涉及用于氮化硅层的蚀刻组合物以及使用该组合物蚀刻氮化硅层的方法，该蚀刻组合物具有高蚀刻选择性并且不引起异常生长和沉淀物的形成。

技术介绍

[0004]在各种半导体制造工艺中，存在对氮化硅层的选择性蚀刻工艺的需要。最近，在V
‑
NAND制造工艺中交替堆叠氮化硅层和氧化硅膜之后，在本领域中已经积极开发了仅选择性地去除氮化硅层的工艺(拉回)和用于实施该工艺的蚀刻组合物。
[0005]通常，磷酸与水的混合物被用作氮化硅层的蚀刻溶液。然而，这种混合物具有这样的问题，即不仅氮化硅层而且氧化硅层被蚀刻，并且不能满足工艺所要求的氮化硅层/本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于氮化硅层的蚀刻组合物，包含：无机酸或其盐；以及双硅烷化合物与氨基硅烷化合物的聚合物、所述聚合物的反应产物或它们的组合。2.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述双硅烷化合物由式1表示：<式1>其中，L1是取代或未取代的C1至C
20
亚烷基、取代或未取代的C2至C
20
亚烯基、取代或未取代的C2至C
20
亚炔基、取代或未取代的C3至C
20
亚环烷基、取代或未取代的C3至C
20
亚环烯基、取代或未取代的C6至C
20
亚芳基以及它们的组合；R1至R6各自独立地选自氢原子、F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*
‑
C(＝O)(R7)、*
‑
C(＝O)
‑
O
‑
C(＝O)(R7)、取代或未取代的C1至C
20
烷氧基、取代或未取代的C6至C
20
芳氧基、取代或未取代的C1至C
20
烷基、取代或未取代的C2至C
20
烯基、取代或未取代的C2至C
20
炔基、取代或未取代的C3至C
20
环烷基、取代或未取代的C3至C
20
环烯基以及取代或未取代的C6至C
20
芳基，其中R1至R6中的至少两个选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*
‑
C(＝O)(R7)、*
‑
C(＝O)
‑
O
‑
C(＝O)(R7)、取代或未取代的C1至C
20
烷氧基以及取代或未取代的C6至C
20
芳氧基；R7选自氢原子、F、Cl、Br、I、取代或未取代的C1至C
20
烷氧基、取代或未取代的C6至C
20
芳氧基、取代或未取代的C1至C
20
烷基、取代或未取代的C2至C
20
烯基、取代或未取代的C2至C
20
炔基、取代或未取代的C3至C
20
环烷基、取代或未取代的C3至C
20
环烯基以及取代或未取代的C6至C
20
芳基；并且*是到相邻原子的连接位点。3.根据权利要求2所述的蚀刻组合物，其中：L1选自C1至C
10
亚烷基、C6至C
15
亚芳基以及它们的组合；并且R1至R6各自独立地选自氢原子、F、Cl、Br、I、羟基、C1至C
10
烷氧基以及C1至C
10
烷基，R1至R6中的至少两个选自F、Cl、Br、I、羟基以及C1至C
10
烷氧基。4.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述双硅烷化合物选自式1A至式1L：<式1A><式1B><式1C>
<式1D><式1E><式1F><式1G><式1H><式1I><式1J><式1K><式1L>
其中，OMe是甲氧基并且OEt是乙氧基。5.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述氨基硅烷化合物由式2表示：<式2>其中L2至L6各自独立地选自单键、*
‑
C(＝O)
‑
*
’
、*
‑
C(＝N
‑
R
13
)
‑
*
’
、取代或未取代的C1至C
20
亚烷基、取代或未取代的C2至C
20
亚烯基、取代或未取代的C2至C
20
亚炔基、取代或未取代的C3至C
20
亚环烷基、取代或未取代的C1至C
20
杂环亚烷基、取代或未取代的C3至C
20
亚环烯基、取代或未取代的C1至C
20
杂环亚烯基、取代或未取代的C6至C
20
亚芳基、取代或未取代的C1至C
20
杂亚芳基以及它们的组合；R
11
选自氢原子、*
‑
N(R
14
)(R
15
)、由以下式3表示的基团、*
‑
Si(R
17
)(R
18
)(R
19
)、取代或未取代的C1至C
20
烷基、取代或未取代的C2至C
20
烯基、取代或未取代的C2至C
20
炔基、取代或未取代的C3至C
20
环烷基、取代或未取代的C1至C
20
杂环烷基、取代或未取代的C3至C
20
环烯基、取代或未取代的C1至C20杂环烯基、取代或未取代的C6至C
20
芳基以及取代或未取代的C1至C
20
杂芳基；<式3>R8至R
10
和R
17
至R
19
各自独立地选自氢原子、F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*
‑
C(＝O)(R
20
)、*
‑
C(＝O)
‑
N(R
20
)(R
21
)、*
‑
C(＝O)
‑
O
‑
C(＝O)(R
20
)、取代或未取代的C1至C
20
烷氧基、取代或未取代的C6至C
20
芳氧基、取代或未取代的C1至C
20
烷基、取代或未取代的C2至C
20
烯基、取代或未取代的C2至C
20
炔基、取代或未取代的C3至C
20
环烷基、取代或未取代的C1至C
20
杂环烷基、取代或未取代的C3至C
20
环烯基、取代或未取代的C1至C
20
杂环烯基、取代或未取代的C6至C
20
芳基以及取代或未取代的C1至C
20
杂芳基，其中R8至R
10
中的至少一个选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*
‑
C(＝O)(R
20
)、*
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李智惠，尹志贤，李圭原，赵娟振，文炯朗，黄基煜，崔正敏，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：