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本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物以及使用该组合物蚀刻氮化硅层的方法。该组合物包含无机酸或其盐；以及双硅烷化合物与氨基硅烷化合物的聚合物、该聚合物的反应产物或它们的组合。或它们的组合。
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该专利属于三星SDI株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星SDI株式会社授权不得商用。

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