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利用等离子体清洁处理形成钝化层以降低自然氧化物生长的方法技术
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下载利用等离子体清洁处理形成钝化层以降低自然氧化物生长的方法的技术资料
文档序号:5463707
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本发明描述的实施例提供用于去除基板上的自然氧化物,同时将下方的基板表面予以钝化的方法。在一实施例中,提供一种方法,其包括:将包含氧化物层的基板放置于工艺腔室内;调整该基板的第一温度到约80℃或更小;在该工艺腔室内由气体混合物产生清洁等离子体...
该专利属于应用材料股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料股份有限公司授权不得商用。
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