一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法技术

提供一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法。具体步骤为：晶圆经过光阻清洗液处理后，用含有水溶性金属缓蚀剂的金属保护液进行清洗，之后甩干。该水溶性金属缓蚀剂可为聚羧酸类金属缓蚀剂。该方法利用金属保护液，在清洗步骤中阻止了等离子体电浆刻蚀过程中和环境中产生的中卤离子，氧气，溴离子，氢氧根离子，Ｈ离子等对刻蚀后的金属腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭洪修，王胜利，杨春晓，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31