The invention provides a processing method of an optical device wafer, which does not reduce the brightness of the optical device. A processing method of the optical device wafer, optical device wafer segmentation for various optical devices, the optical device is on the surface of the semiconductor layer stacked wafer substrate, and the preset dividing line into a plurality of optical devices formed on the semiconductor layer, which is characterized in that the method comprises the following steps: segmentation steps will form a starting point. Through the spot laser beam of the wavelength of the positioning of internal cross points in the preset dividing line of the irradiation on the substrate, metamorphic point formed in the substrate and corresponding internal intersection points, the metamorphic point as the starting point of the segmentation segmentation become the starting point; and the crack growth steps along the predetermined segmentation CO2 laser irradiation, the crack from the starting point of growth in the interior of the base segment.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
在蓝宝石基板、SiC基板等的表面形成氮化镓(GaN)等的半导体层(外延层)，并在该半导体层上，通过形成为格子状的切割道(分割预定线)划分LED等多个光器件而形成光器件晶片，而该光器件晶片很难通过莫氏硬度比较高的切削叶片来分割，因此通过照射激光束来分割为各个光器件，所分割的光器件利用于便携电话、个人电脑等的电子设备中。作为使用激光束将光器件晶片分割为各个光器件的方法，公知有以下说明的第1 及第2加工方法。第1加工方法是如下所述的方法，即将对基板有吸收性的波长(例如 355nm)的激光束，照射到与分割预定线对应的区域，从而通过烧蚀(ablation)加工形成分隔槽，之后施加外力而将光器件晶片分割为各个光器件(例如，参照日本特开平10-305420 号公报)。第2加工方法是如下所述的方法，即将对基板有透过性的波长(例如1064nm)的激光束的聚光点定位在与分割预定线对应的基板的内部，并沿着分割预定线照射激光束而形成变质层，之后施加外力而将光器件晶片分割为各个光器件(例如，参照日本专利第 3408805号公报)。任何一个加工方法都可以可靠地...
【技术保护点】
１．一种光器件晶片的加工方法，将在基板的表面层叠半导体层，并在该半导体层上通过分割预定线划分多个光器件而成的光器件晶片分割为各个光器件，该加工方法的特征在于，该加工方法包括：分割起点形成步骤，将对该基板有透过性的波长的激光束的聚光点定位在该分割预定线的交叉点的内部而进行照射，在与交叉点对应的基板内部形成变质点，将该变质点设为分割起点，其中，该分割起点成为分割的起始点；以及裂纹生长步骤，沿着该分割预定线照射ＣＯ２激光，使裂纹从该分割起点起在基板内部生长。
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。