用于去除氧化膜的基板清洗方法技术

当由等离子体产生的自由基经由形成于将等离子体形成室（１０８）与处理室分隔开的分隔板上的多个孔（１１１）而被导入到处理室时，自由基与单独被导入到处理室中的处理气体混合，抑制自由基的激发能，由此能够以高的Ｓｉ选择性进行基板表面处理，这能够在不使基板表面的平坦性劣化的情况下进行去除自然氧化膜和有机物的表面处理。等离子体中的自由基经由等离子体分离用的等离子体约束电极板（１１０）的自由基通过孔（１１１）被导入到处理室，处理气体被导入到处理室（１２１）以与处理室中的自由基混合，然后由自由基和处理气体的混合气体清洗基板表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种包括基板表面的处理、特别是IV族半导体表面的处理的半导体器 件的制造设备和制造方法。
技术介绍
传统地，对半导体Si基板进行湿法清洗(wet-cleaning)。然而，湿法清洗具有 如下问题在干燥状态下不能完全去除水迹；不能控制很薄的氧化膜的蚀刻；需要大设备 等等。此外，当半导体基板在湿法清洗之后长时间暴露于大气中时，产生如下问题在半 导体基板的表面上形成自然氧化膜并且在基板表面上吸收碳原子以抑制Si单晶的成膜； 产生凹凸不平的膜外形；在栅极绝缘膜(gate insulation film)的界面处产生杂质能级 (impurity level)等等。因此，在成膜之前，通过进行UHV真空加热到750°C以上或在H2气氛下加热到 SOO0C以上来去除表面氧化膜。然而，随着器件的小型化和介电绝缘膜/金属电极的使用， 需要在较低的温度下制造器件。因此，需要在650°C以下的温度进行器件的制造。结果，湿 法清洗具有局限性，出现了对干法清洗(dry-cleaning)方法的需求，其中，干法清洗在成 膜之前在真空中进行半导体基板的处理。使用氩等离子体的逆溅射(reverse s本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板清洗设备，所述基板清洗设备包括等离子体形成室（１０８）、容纳有基板保持件的基板清洗处理室（１２１）、将所述等离子体形成室与所述基板清洗处理室分隔开的等离子体约束电极板（１１０），其中：在所述等离子体形成室中具有与所述等离子体约束电极板平行地沿所述等离子体形成室的横向延伸的板状的高频施加电极，所述高频施加电极具有多个通孔（１０５），所述通孔从所述高频施加电极的前表面贯通到后表面地形成，比值Ｖ２／Ｖ１被设定在０．０１至０．８的范围，其中，Ｖ１是所述高频施加电极的包括所述通孔在内的总体积，Ｖ２是所述通孔的总体积；所述等离子体约束电极板具有多个自由基导入孔（１１１），所述自由基导入孔被分布形成...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：清野拓哉，池本学，真下公子，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP