研磨剂以及研磨方法技术

本发明专利技术提供在半导体集成电路装置的制造中研磨被研磨面中，具有高研磨速度、可抑制凹陷或磨蚀的产生的研磨剂。它是使在用于研磨半导体集成电路装置的被研磨面的化学、机械研磨用研磨剂中含有（Ａ）氧化物微粒、（Ｂ）普鲁兰多糖以及（Ｃ）水。还可以含有（Ｄ）氧化剂以及（Ｅ）式（１）所示的化合物，其中，Ｒ为氢原子、碳原子数为１～４的烷基、碳原子数为１～４的烷氧基或者羧基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在半导体装置的制造工序中使用的研磨剂。尤其涉及在使用Cu系金属作为布线材料、使用钽系金属作为阻挡层材料来形成埋入式金属布线时适用的研磨剂以及使用其的半导体集成电路装置的被研磨面的研磨方法。
技术介绍
近年来，伴随着半导体集成电路的高集成化·高功能化，一直在探索可以实现微细化·高密度化的微细加工技术的开发。在半导体装置制造工序，特别是在形成多层布线的工序中，层间绝缘膜或埋入的布线的平坦化技术是非常重要的。即，通过半导体制造过程的微细化·高密度化，布线形成多层化，与之伴随在各层的表面的凹凸就容易增大，为了防止该高低差异超过光刻的焦深等问题，在多层布线形成工序中的高平坦化技术越来越重要了。作为布线材料，与以往使用的Al合金相比，Cu由于比电阻低、耐电迁移优良而受到关注。由于Cu的氯化物气体的蒸气压低，通过以往使用的反应性离子蚀刻法(RIEReactive Ion Etching)难以加工成布线形状，因此在布线的形成中使用嵌入式法。该方法是在绝缘层中形成布线用的槽图案或孔等凹部，接着在形成阻挡层之后，通过溅射法或镀敷法等成膜将Cu埋入到槽部，接着将多余的Cu和阻挡层通过化学本文档来自技高网...

【技术保护点】
研磨剂，它是在半导体集成电路装置的制造中用于研磨被研磨面的化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，含有（Ａ）氧化物微粒、（Ｂ）普鲁兰多糖以及（Ｃ）水。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹宫聪，真丸幸惠，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，清美化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]