研磨剂及基板的研磨方法技术

本发明专利技术提供一种用于研磨含钴元素的层的研磨剂，所述研磨剂含有由选自邻苯二甲酸化合物、间苯二甲酸化合物以及下述通式（I）表示的烷基二元羧酸化合物及他们的盐以及酸酐中的至少一种构成的羧酸衍生物、金属防蚀剂与水，pH在4.0以下。通式（I）中，R表示碳原子数为4~10的亚烷基。HOOC-R-COOH…(I)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
近年，伴随着半导体集成电路(以下记为“LSI”。)的高度集成化、高性能化，开发了新的微细加工技术。化学机械研磨(以下记为“CMP”。)法也是其中一种，是LSI制造工序、尤其是多层布线形成工序中的绝缘体的平坦化、金属插头形成、嵌入布线形成等中频繁利用的技术。此外，最近为了使LSI高性能化，正在尝试利用铜合金作为布线材料。但是，铜合金很难进行在基于以往的铝合金布线的形成中频繁使用的干式蚀刻法的微细加工。因此， 例如，主要采用所谓的镶嵌(damascene)法，在预先形成有槽的绝缘膜上堆积、嵌入铜合金薄膜，通过CMP除去槽部以外的铜合金薄膜，形成嵌入布线(例如，参照专利文献I。)。金属的CMP的一般方法是，在圆形的研磨平台(Platen)上粘贴研磨布，将研磨布的表面用液态的金属用研磨剂浸润，按压形成基板的金属膜的面，以从背面施加规定的压力(以下记为“研磨压力”。)的状态转动研磨平台，通过金属用研磨剂与金属膜的凸部之间的机械摩擦，除去凸部的金属膜。CMP中使用的金属用研磨剂一般含有氧化剂以及磨粒，根据需要进一步添加金属溶解剂、金属防蚀剂等。添加这些的时候，认为基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨剂，用于研磨含钴元素的层，所述研磨剂含有选自由邻苯二甲酸化合物、间苯二甲酸化合物以及下述通式（I）表示的烷基二元羧酸化合物及他们的盐及酸酐中的至少一种构成的羧酸衍生物、金属防蚀剂与水，研磨剂的pH在4.0以下，HOOC？R？COOH…(I)上述通式（I）中，R表示碳原子数为4~10的亚烷基。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：三嶋公二，飞田文子，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：