【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及衬底处理和装置，更具体地涉及能够灵活配置输送和施加处理流体到衬底表面的系统。
技术介绍
在半导体芯片加工处理中，众所周知需要清洗和烘干晶 片，在其上已经完成加工处理并且在晶片的表面留下不希望的残 渣。这种加工处理的例子包括等离子蚀刻和化学机4成抛光(CMP )。 在CMP中，晶片被布置在支架上，其将晶片表面推靠到一个抛光表 面。 一种浆料由化学制品和使抛光发生的研磨剂材料组成。令人遗 憾地，这种处理会留下浆颗粒积聚物和残渣在该晶片表面。如果留 在该晶片上，该有害的残渣材并牛和颗并立会导致，特别是，如在该晶 片表面上的刮痕和在金属化部件之间不恰当的相互作用的缺陷。在 某些情况下，这种缺陷会导致在该晶片上的器件变得不可用。为了 避免丟弃带有不可用器件的晶片带来不恰当的成本，因此在会留下 有害残渣的加工操作之后需要充分而有效地清理该晶片。除了残 渣，可能存在于该晶片上的有害薄膜也需要去掉。在晶片已经-故湿清洗后，必须有效^>烘干该晶片以<更防 止水或清洗流体残余在该晶片上留下残渣。如果允许该晶片表面上 的该清洗流体蒸发，正如通常在小滴形...
【技术保护点】
一种用于处理衬底的装置，包括： 具有表面的接近头，其能够紧挨着衬底的表面接合，该接近头包括： 多个能够分配第一处理混合物和第二处理混合物到该衬底的该表面的分配端口， 多个能够从该衬底的该表面移除该第一和第二处理混合物的移除 端口；以及 连接到该多个用来分配该第一处理混合物和该第二处理混合物的分配端口以及连接到该多个移除端口的分配集管，该分配集管构造为限定所选取的该接近头用于输送和移除该第一处理混合物和第二处理混合物的区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：马克H维尔科克森，克里斯托夫J雷丁，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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