堆栈式封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术关于一种堆栈式封装结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：覆晶接合数个第一晶粒至一晶圆；进行回焊；形成一第一保护层于这些第一晶粒及该晶圆之间；薄化该晶圆；切割该晶圆以形成数个复合晶粒；形成一第二保护层于一基板；将这些复合晶粒接合至该基板；切割该基板，以形成数个堆栈式封装结构。藉此，可节省时间，而且不会有翘曲的情况发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种封装结构及其制造方法，详言之，关于一种。
技术介绍
堆栈式封装结构将二颗晶粒(下晶粒及上晶粒)堆栈在一基板上以形成的三维封装结构，其中位于下方的下晶粒会具有数个连通柱(Through Silicon Via,TSV)结构，这些连通柱会突出于该下晶粒的一表面，而且该下晶粒另一表面会具有数个凸块结构。已知制造方法先将薄化过后的下晶粒直接以热压工艺与基板接着，接着再将上晶粒以相同方法堆栈于该下晶粒上。因此，该制造方法会遭遇以下问题。首先，薄化过后的下晶粒在搬运及运送是一项挑战。其次，该基板的翘曲在该下晶粒堆栈过程中，会造成电性量测上的良率降低、凸块结构接着失败等问题。接着，以热压作为晶粒接着的技术而言，产出的速度较低。因此，有必要提供一种，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种堆栈式封装结构的制造方法，其包括以下步骤(a)提供一晶圆， 该晶圆具有一第一表面及一第二表面；(b)提供数个第一晶粒，每一该第一晶粒包括一第一晶粒本体、数个连通柱(Conductive Vias)及数个凸块，该第一晶粒本体包括一第一表面及一第二表面，这些连通柱突出于该第二表面，这些凸块邻本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种堆栈式封装结构的制造方法，包括：（ａ）提供一晶圆，该晶圆具有一第一表面及一第二表面；（ｂ）提供数个第一晶粒，每一该第一晶粒包括一第一晶粒本体、数个连通柱及数个凸块，该第一晶粒本体包括一第一表面及一第二表面，这些连通柱突出于该第二表面，这些凸块邻接于该第一表面且电性连接这些连通柱；（ｃ）覆晶接合这些第一晶粒至该晶圆的第一表面，其中这些连通柱电性连接至该晶圆的第一表面；（ｄ）将这些第一晶粒及该晶圆进行回焊；（ｅ）形成一第一保护层于这些第一晶粒及该晶圆的第一表面之间以保护这些连通柱；（ｆ）于步骤（ｄ）之后，从该晶圆的第二表面薄化该晶圆；（ｇ）切割该晶圆以形成数个复合晶粒；（ｈ）提供一基板，该...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪嘉临，陈仁川，张惠珊，杨国宾，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71