【技术实现步骤摘要】
本专利技术是涉及一种分析方法，且特别是涉及一种具有异常区域的半导体元件的分 析方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)芯片的工艺大致分为前段工艺及后段工艺，其中前段工艺 的目的是在晶片(wafer)上制作出集成电路，而后段工艺则是将集成电路已制作完成的晶 片进行封装(package)。在前段工艺及后段工艺的过程中，不断地进行许多结构测试及电性 测试，以确保芯片的可靠度及良率。倘若测试结果为晶片异常，为了找晶片制作上的缺陷， 一般来说，常用的观测设备例如是扫描式电子显微镜Gcarming Electron Microscope，简 称SEM)、穿透式电子显微镜(Transmitting Electron Microscope，简称TEM)及聚焦式离 子束显微镜(Focused Ion Beam Microscope，简称 FIB)等等。一般来说，对于高密度的半导体元件，穿透式电子显微镜已经广泛地利用来进行 元件失效分析(Failure Analysis)与工艺评估process Evaluation)，以解决产量与元件 可靠度问题。通常在进行穿透式电子显微镜分析之...
【技术保护点】
１．一种半导体元件的分析方法，包括：提供半导体元件，该半导体元件上具有异常区域；对该异常区域进行聚焦式离子束显微镜分析程序，其中该聚焦式离子束分析程序的结果显示该异常区域具有缺陷；以及在该聚焦式离子束显微镜分析程序之后，对该异常区域进行电性检测步骤，以判断该异常区域中的缺陷是否为元件真正失效缺陷。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张志忠，林建璋，吴文生，张清林，蔡智仰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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