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本发明公开了一种半导体元件的分析方法，此方法包括提供半导体元件，且半导体元件上具有异常区域。接着，对异常区域进行聚焦式离子束显微镜分析程序，其中聚焦式离子束分析程序的结果显示异常区域具有缺陷。在聚焦式离子束分析程序之后，对异常区域进行电性检...
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