非易失性半导体存储器装置制造方法及图纸

本发明专利技术披露具有非二的次幂存储容量的非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括至少一个平面。该平面包括多个块，每个块分为多个页面，并且每个块沿着第一维度由用于保存数据的第一数量的存储器单元限定，并且沿着第二维度由用于保存数据的第二数量的存储器单元限定。非易失性存储器具有和平面中的存储器单元的总数成比例相关的非二的次幂容量。非易失性存储器还包括多个行译码器。对于页面数量和行译码器数量在存储器装置中存在至少大体一对一的关系。每个行译码器配置为利于在存储器装置的相关页面上进行读出操作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非易失性半导体存储器装置
技术介绍
目前，许多电子装置包括存储器系统来保存信息。例如，一些存储器系统保存数字 化的音频或者视频信息，用于通过相应的媒体播放器来回放。其它存储器系统保存软件和 相关的信息来执行不同类型的处理功能。此外，诸如动态随机存取存储器(DRAM)系统和静 态随机存取存储器(SRAM)系统的一些类型的存储器系统是其中保存的数据在掉电时不能 保持的易失性存储器装置，而诸如NAND闪速存储器系统和NOR闪速存储器系统的其它类型 的存储器系统是其保存的数据在掉电时依然保持的非易失性存储器系统。因为计算系统中二进制地址位结构的性质，通常存储器系统的存储容量每一代都 是双倍的，无论该系统是“易失性”或者“非易失性”。本领域普通技术人员通常可以理解， 如果在主存储器系统中使用双倍的存储容量，则双倍的存储容量(二的次幂的存储容量) 是必须满足的要求。此外，尽管已经存在一些用于易失性存储器系统的非二的次幂存储容 量的现有方法，但是至少在非易失性存储器系统的环境中，当前并未明显存在生产具有非 二的次幂存储器容量的存储器系统的任何实现方法。当然，能够生产具有非二的次幂存储容量的非易失性存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器装置，包括：至少一个平面，所述平面包括多个块，每个块分为多个页面，并且每个所述块沿着第一维度由用于保存数据的第一数量的存储器单元限定，并且沿着第二维度由用于保存数据的第二数量的存储器单元限定，所述非易失性存储器具有和所述平面的数据部分中的存储器单元的总数成比例相关的非二的次幂容量；以及多个行译码器，并且页面数量和行译码器数量在存储器装置中存在至少大体一对一的关系，并且每个所述行译码器配置为便于在存储器装置的相关页面上进行读出操作。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇祺，DA哈蒙德，
申请(专利权)人：莫塞德技术公司，
类型：发明
国别省市：CA[加拿大]