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本发明披露具有非二的次幂存储容量的非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括至少一个平面。该平面包括多个块，每个块分为多个页面，并且每个块沿着第一维度由用于保存数据的第一数量的存储器单元限定，并且沿着第二维度由用于保存数据的第二数量的存储...
该专利属于莫塞德技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过莫塞德技术公司授权不得商用。

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