制造半导体器件的方法和半导体器件技术

公开了一种制造半导体器件的方法，包括：提供绝缘载体（１０），例如氧化物晶片；在所述载体上形成在源极结构（１２）与漏极结构（１４）之间的沟道结构（２０）；选择性地去除沟道结构（２０）的一部分，从而在沟道结构（２０）与载体（１０）之间形成凹入部（２２）；将器件外露于退火步骤，使得沟道结构（２０’）获得实质上圆柱形形状；形成围绕实质上圆柱形沟道结构（２０’）的限制层（４０）；生长围绕限制层（４０）的氧化层（５０）；以及形成围绕氧化层（５０）的栅极结构（６０）。所述实质上圆柱形沟道结构２０’可以包括半导体层３０。还公开了相应的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造半导体器件的方法，具体地涉及制造周围栅极(GAA)FinFET器件 的方法。本专利技术还涉及半导体器件，具体地涉及GAA FinFET器件。
技术介绍
由于无法控制的短沟道效应，不断缩小传统体金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)的尺寸变得越来越困难。这种效应使晶体管性能在切换效率和换向速度方面下降 很大。为此，研究若干备选的晶体管的设计，例如，在传统晶体管设计中使用诸如高k电介 质之类的新型材料和金属栅极材料，和/或开发备选晶体管体系结构。很具有吸引力的一种具体体系结构是所谓的FinFET器件，其中，在诸如氧化物晶 片之类的绝缘载体上提供在源极极区和漏极区之间的细鳍形沟道，多个栅极控制沟道的电 导率。由于FinFET器件卓越的固有性能以及其与传统CMOS工艺的高兼容性，FinFET器件 被认为具有良好前景，FinFET器件与传统CMOS工艺的高兼容性意味着不需要在新制造器 件方面的大量投入就可以制造这些器件。与传统晶体管体系结构相比，FinFET器件的一个关键特点是很高的静电完整性。 这是由于多栅极配置对沟道中的载体实施额外控制。因此，两个或三个栅极的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：提供绝缘载体（１０）；在所述载体（１０）上提供在源极结构（１２）和漏极结构（１４）之间的沟道结构（２０）；选择性地去除沟道结构（２０）的一部分，从而在沟道结构（２０）和载体（１０）之间形成凹入部（２２）；将器件外露于退火步骤，使得沟道结构（２０’）获得实质上圆柱形形状；形成围绕实质上圆柱形沟道结构（２０’）的限制层（４０）；生长围绕限制层（４０）的氧化层（５０）；以及形成围绕氧化层（５０）的栅极结构（６０）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉尔贝托库拉托拉，帕拉哈特阿加瓦尔，马克JH范达尔，维贾亚拉格哈万马达克西拉，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]