一种平底结功率场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种新的ＶＤＭＯＳ器件及其制造工艺，属半导体功率器件技术领域。本发明专利技术的创新之处在于其减小寄生ＮＰＮ管的原理不同，通过浅结Ｐ＋区挤压源扩散区来抑制寄生管，Ｐ阱底部为Ｐ－区形成的平底结构，因而在器件制造工艺及结构上不同于传统工艺和结构。本发明专利技术可以缩小ＶＤＭＯＳ多晶栅之间的间隔尺寸，减小Ｐ阱结深，从而达到提高集成度、提高耐压和降低导通电阻的目的。

【技术实现步骤摘要】

该专利技术涉及一种功率场效应晶体管(VDMOS)及其芯片制造工艺，属半导体功率器 件

技术介绍
垂直导电双扩散场效应晶体管(VDMOS)是目前功率场效应晶体管的主要类型，传 统工艺制造的器件剖面结构图见附图1。结构如图1所示，P阱是由两部分组合而成位于 中心的浓度较大、结深较大的P+区和面积较大(包裹并重叠P+区)、浓度较小、结深较小 的P-区叠加而成一个碗状的P阱区。传统工艺P阱加工成碗状的目的是为了减小源极扩 散区N+/P阱/N-外延层这三层结构寄生形成的NPN管的影响，寄生NPN管的触发迟早和放 大能力大小直接影响该VDMOS的单脉冲雪崩击穿能量(EAS)的大小。采用这种结构的器件 制造工艺需要有次专门的P+区光刻，而且是在P-区形成之前。传统的VDMOS典型制造流 程为1)外延片备料2)P+区光刻，P+注入、退火。3)栅氧化4)淀积多晶硅，多晶硅掺杂。5)多晶光刻、刻蚀、氧化。6) P-自对准注入、退火。7)源扩散区光刻、注入。8)淀积氧化层+磷硅玻璃、回流。9)源、栅接触孔光刻、刻蚀。10)铝电极光刻、刻蚀。11)氮/氢退火。12)背面金属化。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种平底结功率场效应晶体管制造方法，其特征在于Ｐ阱中Ｐ＋区结深小于Ｐ－区结深，Ｐ阱底部是由Ｐ－区形成的平底结。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：鄢细根，马洁荪，江秉闰，
申请(专利权)人：华越微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]