晶体管及其制造方法技术

一种晶体管及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底的有源区上方顺序形成栅极氧化层和多晶硅栅极，在邻近于多晶硅栅极的有源区中形成漂移区，以及然后通过向漂移区中同时注入各种类型的杂质离子来以比漂移区的深度分布浅的深度分布形成源极／漏极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种高压MOS 晶体管(high-voltage MOS transistor )及其制造方法。
技术介绍
在用于驱动LSI、运载工具(vehicle ) LSI， OA和外围器件LSI 以及电动机驱动LSI的电路中，高压器件和低压器件集成在单个芯 片上和/或上方，其中，驱动LSI用于诸如LCD、 PDP、 OLED等的 平板显示器。这样的电路称为高压集成电路。为了设计高压集成电 路，高压MOS器件模型与低压MOS器件模型都是必要的。图1A到图ID是一种制造NMOS晶体管的方法的横截面图。 参照图1A,在半导体4十底上和/或上方限定有源区(例如，p阱10) 之后，形成诸如浅沟槽隔离20的器件隔离层来隔离有源区。在p 阱10上和/或上方形成栅极氧化层30之后，通过在栅极氧化层30 上和/或上方形成多晶石圭来在4册才及氧4匕层30上和/或上方形成多晶石圭 栅极40。通过使用多晶硅栅极40作为掩膜，实施轻掺杂漏极(lightly doped drain ) ( LDD )离子注入来形成N-漂移区50。在多晶石圭4册才及 40的两侧壁上形成隔离体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：　在半导体衬底的有源区上方顺序形成栅极氧化层和多晶硅栅极；　在与所述多晶硅栅极的侧面相邻的所述有源区中形成漂移区；以及然后　通过向所述漂移区中同时注入第一类型杂质离子和第二类型杂质离子来形成源极／漏极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李文荣，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]