制造MOS晶体管的方法技术

一种制造晶体管的方法，可以包括：在硅衬底上方形成第一阱；在硅衬底上方形成第一掩模图案，并使用形成的第一掩模图案来形成第二阱；去除第一掩模图案；在硅衬底上方形成第二掩模图案，并使用形成的第二掩模图案来形成第一漂移区；去除第二掩模图案；形成第三掩模图案，并使用形成的第三掩模图案来形成第二漂移区；去除第三掩模图案；在硅衬底上方形成场氧化膜；以及通过沟道离子注入，将第一导电杂质离子注入到硅衬底的上表面中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种制造 MOS晶体管的方法。
技术介绍
与3又4及晶体管相比，大功率MOS场岁文应晶体管(MOSFET) (其为单才及器件)可以具有相对高的输入阻抗， -使得其可以具有大 的功率增益和简单的栅极驱动器IC。当器件截止时，由于少量载流 子积累和/或复合(再结合，recombination),大功率MOSFET也具 有没有大的时间延迟的优势。因此，近来这样的MOSFET的使用 在包4舌伊J长口开关才莫式电源(switching mode power supply )的生产、 (开)灯调节、电动驱动器IC的生产等的各种应用中得到增加。 这才羊的功率MOSFET可以包4舌例如^f吏用平面扩散冲支术的双扩散 MOSFET (DMOSFET)结构。在高压半导体器件中，具有适合于 高压应用的特定结构的横向扩散MOS ( LDMOS )是DMOSFET的 一个实例，其中，通过在沟道区和漏电才及之间4翁入漂移区而4吏该沟 道区和漏电扭J皮此隔离并由4册电才及控制。图1是示出了低压(LV ) MOS栅极驱动器和高压(HV ) MOS 栅极驱动器的各个晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：　在硅衬底中形成第一阱；　在所述硅衬底上方形成第一掩模图案；　使用所述第一掩模图案作为掩模在所述硅衬底中形成第二阱；　去除所述第一掩模图案；　在所述硅衬底上方形成第二掩模图案；　使用所述第 二掩模图案作为掩模，在所述硅衬底中形成第一漂移区；　去除所述第二掩模图案；　在所述硅衬底上方形成第三掩模图案；　使用所述第三掩模图案作为掩模，在所述硅衬底中形成第二漂移区；　去除所述第三掩模图案；　在所述硅衬底 上方形成场氧化膜；以及　通过实施沟道离子注入工艺，将第...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金凤吉，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]