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一种晶体管及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底的有源区上方顺序形成栅极氧化层和多晶硅栅极，在邻近于多晶硅栅极的有源区中形成漂移区，以及然后通过向漂移区中同时注入各种类型的杂质离子来以比漂移区的深度分布浅的深度分布形成源极／漏极。...
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