温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种制造半导体器件的方法，包括：提供绝缘载体（１０），例如氧化物晶片；在所述载体上形成在源极结构（１２）与漏极结构（１４）之间的沟道结构（２０）；选择性地去除沟道结构（２０）的一部分，从而在沟道结构（２０）与载体（１０）之间形成凹入部...
该专利属于ＮＸＰ股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＮＸＰ股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。