【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体存储器装置。
技术介绍
通常，在闪速存储器装置中，使用冗余块来取代缺陷块。然而，如果 在装运检查时在存储器芯片中发现的缺陷块的数目等于或大于预定的数 目，则将该存储器芯片识别为缺陷芯片。日本专利公开No.1997-146849公开了一种通过隔离发生故障的存储 器来改善系统可靠性的存储器重构方法。最近，发展了具有大容量的闪速存储器装置，并且为了满足对更大容 量和对平面表面上的减小的面积的需要，公知三维堆叠NAND闪速存储 器，其包括层叠在一个芯片中的多个层，该多个层中的每一层(此后，称 为存储器基元层)均具有存储器基元阵列。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体存储器装置，其特征在于包括 堆叠的存储器基元阵列，其具有层叠的多个存储器基元层，其中单独 的存储器基元层中的每一个具有多个块；层品质信息存储电路，其可存储层品质信息(quality information )，所述层品质信息指示出所述单独的存储器基元层是正常存储器基元层还是 缺陷存储器基元层，以便将其中所发现的缺陷块的数目等于或大于预定数 目的存储器基元层识别为缺陷存储器基元层并...
【技术保护点】
一种半导体存储器装置，包括： 堆叠的存储器基元阵列，其具有层叠的多个存储器基元层，其中单独的存储器基元层中的每一个具有多个块； 层品质信息存储电路，其可存储层品质信息，所述层品质信息指示出所述单独的存储器基元层是正常存储器基元层 还是缺陷存储器基元层，以便将其中所发现的缺陷块的数目等于或大于预定数目的存储器基元层识别为缺陷存储器基元层并将其他的存储器基元层识别为正常存储器基元层；以及 地址转换电路，其中如果从外部输入的外部输入的地址对应于在所述缺陷存储器基元层 中的块，则所述外部输入的地址被地址转换以便对应于在所述正常存储器基元层中的块。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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