静态随机存取存储器的操作电压的调整方法技术

一种可达到最佳化静态随机存取存储器的最小操作电压的调整方法，其中的静态随机存取存储器接收外设电路电压及存储单元电压，其步骤包括：首先针对静态随机存取存储器进行许目测试，藉以获得许目测试图及最小操作电压。比较最小操作电压与预设规格，并在许目测试图上外设电路电压等于存储单元电压的线上定位出预设规格所在的规格定位点。固定外设电路电压或存储单元电压的其中之一，并递减外设电路电压或存储单元电压的另一，藉以针对静态随机存取存储器进行测试，并获得失效位数分布。最后，依据规格定位点以及失效位数分布调整静态随机存取存储器的制程参数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储器制程参数的调整方法，且特别是有关于一种静态随机存取存储器的最小操作电压的调整方法。
技术介绍
静态随机存取存储器(Static Random Access Memory, SRAM)是一种常见的随 机存取存储器。其特点在于只要持续供电给该静态随机存取存储器，储存在静态随机存取 存储器中的数据就不会消失。这个不同于动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)需要周期性地更新(re-flash)数据线的特点，使得静态随机存取存储器在 现今的诸多电子产品中依旧扮演着不可取代的地位。 常见的静态随机存取存储器为一种由6个晶体管所构成的所谓的6T的结构。在 此请参照图1绘示已知的6T的静态随机存取体的电路图。图1绘示为1位的静态随机存 取存储器100。静态随机存取存储器100主要由四个晶体管PL1、PD1、PL2、PD2建构成一个 闩锁电路来存储数据，而晶体管PG1、 PG2则分别担任两个受控于字线WL的开关，在当静态 随机存取存储器100被选中时(包括要被写入或读出数据时)，晶体管PG1、PG2同时导通， 并将数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静态随机存取存储器的操作电压的调整方法，其中该静态随机存取存储器接收外设电路电压及存储单元电压，其步骤包括：针对多个该静态随机存取存储器进行许目测试，并藉以获得许目测试图及最小操作电压，其中该许目测试图具有测试成功分布区；比较该最小操作电压与一预设规格；在该许目测试图上该外设电路电压等于该存储单元电压的线上定位出该预设规格所在的规格定位点；固定该外设电路电压或该存储单元电压的其中之一，并递减该外设电路电压或该存储单元电压的另一，以针对多个该静态随机存取存储器进行测试，并获得失效位数分布；以及依据该规格定位点以及该失效位数分布调整多个该静态随机存取存储器的制程参数。

【技术特征摘要】
一种静态随机存取存储器的操作电压的调整方法，其中该静态随机存取存储器接收外设电路电压及存储单元电压，其步骤包括针对多个该静态随机存取存储器进行许目测试，并藉以获得许目测试图及最小操作电压，其中该许目测试图具有测试成功分布区；比较该最小操作电压与一预设规格；在该许目测试图上该外设电路电压等于该存储单元电压的线上定位出该预设规格所在的规格定位点；固定该外设电路电压或该存储单元电压的其中之一，并递减该外设电路电压或该存储单元电压的另一，以针对多个该静态随机存取存储器进行测试，并获得失效位数分布；以及依据该规格定位点以及该失效位数分布调整多个该静态随机存取存储器的制程参数。2. 根据权利要求1所述的静态随机存取存储器的操作电压的调整方法，其中依据该 规格定位点以及该失效位数分布调整多个该静态随机存取存储器的制程参数的步骤包 括延伸该测试成功分布区的第一边界线，并水平移动该第一边界线一平行移动距离，使 该第一边界线通过该规格定位点；延伸该测试成功分布区的第二边界线，并垂直移动该第二边界线一垂直移动距离，使 该第二边界线通过该规格定位点；以及依据该平行移动距离或该垂直移动距离及该失效位数分布中发生第一个失效位的电 压来调整该静态随机存取存储器的制程参数。3. 根据权利要求1所述的静态随机存取存储器的操作电压的调整方法，其中递减外 设电路电压或存储单元电压的另一的步骤为该存储单元电压由等于该外设电路电压递减 至0伏特，或为该外设电路电压由等于该存储单元电压递减至0伏特。4. 根据权利要求1所述的静态随机存取存储器的操作电压的调整方法，其中该失效位 数分布为对应递减的该存储单元电压或递减的该外设电路电压产生的多个该静态随机存 取...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建利，刘复晁，侯俊良，谢明进，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]