【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件，特别涉及一种带有减小的击穿电压的金属氧化物半导体场效应管器件。
技术介绍
当今的半导体器件，例如金属氧化物半导体场效应管，一般都是特征尺寸很小的 高密度器件。比如，现在使用的某些金属氧化物半导体场效应管的壁-壁尺寸约为1到2 微米。随着器件尺寸的减小，器件内栅极氧化物的厚度也随之减小，并且在使用过程中更易 受到损坏。这种问题在经常传导大电流、消耗大功率的功率金属氧化物半导体场效应管器 件中将变得更加显著。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体器件，通过一个沉积在器件的接触沟道下面的 外延层增强部分，减小了金属氧化物半导体场效应管器件的击穿电压。 为了达到上述目的，本专利技术的技术方案是提供一种半导体器件，其特征在于，包含一个漏极、一个覆盖在漏极上的外延层、一个有源区； 上述有源区包含 —个沉积在外延层中的主体、 —个嵌入主体内的源极、 —个延伸进外延层的栅极沟道、 —个沉积在栅极沟道中的栅极、 —个沿源极和至少一部分主体延伸的接触沟道、 —个沉积在接触沟道中的接触电极、 —个沉积在接触沟道下面的外延增强部分； 上述外延...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包含一个漏极、一个覆盖在漏极上的外延层、一个有源区；所述有源区包含：一个沉积在外延层中的主体、一个嵌入主体内的源极、一个延伸进外延层的栅极沟道、一个沉积在栅极沟道中的栅极、一个沿源极和至少一部分主体延伸的接触沟道、一个沉积在接触沟道中的接触电极、一个沉积在接触沟道下面的外延增强部分；所述外延增强部分的载流子类型与外延层的一致。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：潘继，安荷叭剌，
申请(专利权)人：万国半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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