半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件可包括衬底和横向扩散金属氧化物半导体（ＬＤＭＯＳ）器件。半导体器件可包括在衬底上和／或上方形成的第二导电类型阱。ＬＤＭＯＳ器件可包括设置在衬底上和／或上方的漏极。ＬＤＭＯＳ器件可包括：位于漏极一侧的场氧化物，位于衬底上和／或上方并位于场氧化物下方的第一导电类型杂质层，和／或介于第一导电类型杂质层和场氧化物之间的第二导电类型杂质层。在本发明专利技术中，例如通过最大化ＬＤＭＯＳ器件的击穿电压，可最大化ＬＤＭＯＳ器件的耐受电压。例如通过形成额外的电流流经路径（其可缩短电流流动距离），可最小化漂移区的电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种半导体器件及半导体器件的制造方法。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)与双极晶体管相比可具有较高的输入阻抗，使得电源增益可被最大化和/或栅极驱动电路可相对简化。MOSFET可以是单极器件，和/或在关闭时可基本没有由于少数载流子(minority carriers)的积聚和/或再结合而引起的延时。因此，MOSFET可日益广泛地应用于各种场合，如切换模式供电、灯镇流器和/或电机驱动电路。 对于功率MOSFET而言，可使用平面扩散技术的双扩散MOSFET (DMOSFET)结构可被广泛应用，其可以横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管为代表。因此，对可最大化器件耐受电压(withstanding-voltage)和/或最小化导通电阻的半导体器件及半导体器件的制造方法提出需求。
技术实现思路
为克服现有技术缺陷，本专利技术的实施例涉及一种半导体器件及半导体器件的制造方法。根据实施例，例如通过最大化横向扩散金属氧化物半导体(L匿OS)器件的击穿电压，半导体器件及半导体器件的制造方法可最大化器件的耐受电压。在实施例中，例如通过縮短电流流动距离，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括：第二导电类型阱，位于衬底上方；以及横向扩散金属氧化物半导体器件，其包括位于所述衬底上方的漏极、位于所述漏极一侧的场氧化物、位于所述衬底上方且位于所述漏极下方的第一导电类型杂质层，以及介于所述第一导电类型杂质层和所述场氧化物之间的第二导电类型杂质层。

【技术特征摘要】
KR 2008-12-4 10-2008-0122790一种器件，包括第二导电类型阱，位于衬底上方；以及横向扩散金属氧化物半导体器件，其包括位于所述衬底上方的漏极、位于所述漏极一侧的场氧化物、位于所述衬底上方且位于所述漏极下方的第一导电类型杂质层，以及介于所述第一导电类型杂质层和所述场氧化物之间的第二导电类型杂质层。2. 如权利要求1所述的器件，其中所述第一导电类型杂质层和所述第二导电类型杂质层包括多个第一和第二导电类型杂质层。3. 如权利要求2所述的器件，其中以预定间隔设置所述多个第一和第二导电类型杂质层。4. 如权利要求2所述的器件，还包括位于所述场氧化物一侧的第一导电P-型体块，其中所述多个第一导电类型杂质层和所述多个第二导电类型杂质层的至少之一随着距所述P-型体块的距离增大而减小尺寸。5. —种器件，包括第二导电类型阱，位于衬底上方；栅电极，位于所述衬底上方；第一导电类型体块，其包括位于所述栅电极一侧的源极区；漏极区，位于所述栅电极的相对侧；场氧化物，介于所述源极区与所述漏极区之...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相容，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]