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一种半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件可包括衬底和横向扩散金属氧化物半导体（ＬＤＭＯＳ）器件。半导体器件可包括在衬底上和／或上方形成的第二导电类型阱。ＬＤＭＯＳ器件可包括设置在衬底上和／或上方的漏极。ＬＤＭＯＳ器件可包括：位于漏极...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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